Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автор: | Ya. O. Sychikova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889688 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011) -
Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010) -
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012) -
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)