Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | O. A. Abdulkhaev, G. O. Asanova, F. A. Gijasova, D. M. Jodgorova, A. A. Karimov, A. V. Karimov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000890004 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012)
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Phototransistor composite on field effect transistors
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Competition of the Peierls relief and structural defects in damping the domain walls in (Mn/(R/S)-pn/)2(Mn/(R/S)-pn/2(H2O))(Cr(CN)6)2
за авторством: A. D. Talantsev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. D. Talantsev, та інші
Опубліковано: (2015)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
Mathematical Models for Investigation of WWER¬1000/320 Transients
за авторством: E. N. Nikulina, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. N. Nikulina, та інші
Опубліковано: (2018)
Довгострокові прогнози функцій стану автономних включень типу реакції-дифузії в Pn
за авторством: Gorban, N. V.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gorban, N. V.
Опубліковано: (2014)
Experimental investigation of periodic transient mode of thermoelectric generator
за авторством: Yu. Lutsenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. Lutsenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Dynamics of transient processes in multi-stage thermoelectric modules
за авторством: M. P. Volkov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. P. Volkov, та інші
Опубліковано: (2014)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Informative of transient processes in rolling mills
за авторством: V. V. Verenev
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Verenev
Опубліковано: (2014)
Research of transient processes in an electric circuit with a led
за авторством: V. A. Andriychuk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. A. Andriychuk, та інші
Опубліковано: (2024)
Dynamics of transient processes in irreversible kinetic models
за авторством: V. I. Teslenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. I. Teslenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Dynamics of transient processes in irreversible kinetic models
за авторством: V. I. Teslenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. I. Teslenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Numerical modeling transient processes in a long gas pipeline
за авторством: V. F. Chekurin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. F. Chekurin, та інші
Опубліковано: (2019)
Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)
On one method for the solution of an analog of the Cauchy problem for a polycaloric equation with singular Bessel operator
за авторством: Sh. T. Karimov
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sh. T. Karimov
Опубліковано: (2017)
The photovoltaic effect in segnetoelectric of SbSJ and piroelectric ZnO
за авторством: Kh. Karimov
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kh. Karimov
Опубліковано: (2008)
Photovoltaic effect in optical active crystals
за авторством: Kh. Karimov
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kh. Karimov
Опубліковано: (2006)
Photolithography on photostimulated reversible and transient structural changes in CHG
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2015)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Study of transient processes in the circuit of a conditionally-twelvephase thyristor compensator for the correction of transient start-up modes in the electrical network
за авторством: O. I. Chyzhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: O. I. Chyzhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
Схожі ресурси
-
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013) -
Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)