Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	O. A. Abdulkhaev, G. O. Asanova, F. A. Gijasova, D. M. Jodgorova, A. A. Karimov, A. V. Karimov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2011
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000890004
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Phototransistor composite on field effect transistors
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)

Competition of the Peierls relief and structural defects in damping the domain walls in (Mn/(R/S)-pn/)2(Mn/(R/S)-pn/2(H2O))(Cr(CN)6)2
за авторством: A. D. Talantsev, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)

Исследование энергетических характеристик многочастотных автогенераторов миллиметровых и субмиллиметровых волн на основе pn–i–pn-структур
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Mathematical Models for Investigation of WWER¬1000/320 Transients
за авторством: E. N. Nikulina, та інші
Опубліковано: (2018)

Experimental investigation of periodic transient mode of thermoelectric generator
за авторством: Yu. Lutsenko, та інші
Опубліковано: (2016)

On the mechanism of ⁴He(γ, pn)²H reaction
за авторством: Guryev, V.N.
Опубліковано: (2011)

Влияние магнитной релаксации на перемагничивание молекулярного ферримагнетика K₀,₄[Cr(CN)₆][Mn(R/S)-pn](R/S)-pnH₀,₆
за авторством: Моргунов, Р.Б., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of transient processes in an electric circuit with a led
за авторством: V. A. Andriychuk, та інші
Опубліковано: (2024)

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Calculation of thermal transient condition in the biperiodic accelerating structure
за авторством: Zavadtsev, D.A.
Опубліковано: (2004)

Numerical modeling transient processes in a long gas pipeline
за авторством: V. F. Chekurin, та інші
Опубліковано: (2019)

Dynamics of transient processes in multi-stage thermoelectric modules
за авторством: M. P. Volkov, та інші
Опубліковано: (2014)

On one method for the solution of an analog of the Cauchy problem for a polycaloric equation with singular Bessel operator
за авторством: Sh. T. Karimov
Опубліковано: (2017)

Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Determination of potential distribution in a three-barrier structure
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of ⁴He(γ, pn)d reaction mechanism for Eγ up to 100 MeV
за авторством: Glaznev, M.S., та інші
Опубліковано: (2013)

Features of the amplifying properties of a field-effect transistor in a circuit with dynamic load
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)