Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | O. A. Abdulkhaev, G. O. Asanova, F. A. Gijasova, D. M. Jodgorova, A. A. Karimov, A. V. Karimov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000890004 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Phototransistor composite on field effect transistors
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Преобразование частоты в pn–i–pn-структурах
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2018)
Big Picard Theorem for Meromorphic Mappings with Moving Hyperplanes in $P_n (C)$
за авторством: Si, Duc Quang, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Si, Duc Quang, та інші
Опубліковано: (2014)
Competition of the Peierls relief and structural defects in damping the domain walls in (Mn/(R/S)-pn/)2(Mn/(R/S)-pn/2(H2O))(Cr(CN)6)2
за авторством: A. D. Talantsev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. D. Talantsev, та інші
Опубліковано: (2015)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование энергетических характеристик многочастотных автогенераторов миллиметровых и субмиллиметровых волн на основе pn–i–pn-структур
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)
On the mechanism of ⁴He(γ, pn)²H reaction
за авторством: Guryev, V.N.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Guryev, V.N.
Опубліковано: (2011)
Влияние магнитной релаксации на перемагничивание молекулярного ферримагнетика K₀,₄[Cr(CN)₆][Mn(R/S)-pn](R/S)-pnH₀,₆
за авторством: Моргунов, Р.Б., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Моргунов, Р.Б., та інші
Опубліковано: (2018)
Mathematical Models for Investigation of WWER¬1000/320 Transients
за авторством: E. N. Nikulina, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. N. Nikulina, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
Experimental investigation of periodic transient mode of thermoelectric generator
за авторством: Yu. Lutsenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. Lutsenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Calculation of thermal transient condition in the biperiodic accelerating structure
за авторством: Zavadtsev, D.A.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Zavadtsev, D.A.
Опубліковано: (2004)
Dynamics of transient processes in multi-stage thermoelectric modules
за авторством: M. P. Volkov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. P. Volkov, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Study of ⁴He(γ, pn)d reaction mechanism for Eγ up to 100 MeV
за авторством: Glaznev, M.S., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Glaznev, M.S., та інші
Опубліковано: (2013)
Big Picard theorem for meromorphic mappings with moving hyperplanes in Pn(C)
за авторством: Quang, Si Duc, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Quang, Si Duc, та інші
Опубліковано: (2014)
Research of transient processes in an electric circuit with a led
за авторством: V. A. Andriychuk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. A. Andriychuk, та інші
Опубліковано: (2024)
Схожі ресурси
-
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013) -
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)