Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | O. A. Abdulkhaev, G. O. Asanova, D. M. Jodgorova, E. N. Jakubov, A. V. Karimov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000890129 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shygorin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. P. Shygorin, та інші
Опубліковано: (2017)
Calculation of Josephson current in a two-barrier tunnel junction
за авторством: P. P. Shyhorin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. P. Shyhorin, та інші
Опубліковано: (2017)
Determination of potential distribution in a three-barrier structure
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012)
Stochastic resonance at diffusion over potential barrier
за авторством: V. M. Kolomietz, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Kolomietz, та інші
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2024)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
On the theory of scalar pair production by a potential barrier
за авторством: Nikishov, A.I.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Nikishov, A.I.
Опубліковано: (2001)
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Communication barriers in negotiation
за авторством: Danilova, E.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Danilova, E.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Sepiolite-zeolite composites as potential reactivity waterproof barriers
за авторством: O. V. Pushkarov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Pushkarov, та інші
Опубліковано: (2014)
Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)
Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)
Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
Investigation of functional capabilities of condensed gradient thermal barrier coatings
за авторством: Ju. Jakovchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ju. Jakovchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Impact of tariff and non-tariff barriers on export potential of Ukraine
за авторством: L. A. Peretiatko
Опубліковано: (2016)
за авторством: L. A. Peretiatko
Опубліковано: (2016)
Thermoregulatory mechanisms of activation of blood-brain barrier and hematosalivary barrier during cold stopping of stress-induced periodontal damages
за авторством: G. V. Malysheva
Опубліковано: (2005)
за авторством: G. V. Malysheva
Опубліковано: (2005)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
Barriers in the energy of deformed nuclei
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of plate-type barrier ozonizers with ac and pulse power supplies
за авторством: Krasnji, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Krasnji, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)
A look through psychological barrier
за авторством: I. A. Meizhys
Опубліковано: (1993)
за авторством: I. A. Meizhys
Опубліковано: (1993)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
Ethanol conversion in glow and barrier discharges
за авторством: Levko, D.S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Levko, D.S., та інші
Опубліковано: (2014)
On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Barrier Grossing Induced by Fractional Gaussian Noise
за авторством: Sliusarenko, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sliusarenko, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2010)
Kinetic equations for the pseudospin model with barriers
за авторством: Kovarskii, V.L.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kovarskii, V.L.
Опубліковано: (2012)
Cultural participation in Ukraine: barriers and incentives
за авторством: L. H. Skokova
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. H. Skokova
Опубліковано: (2018)
Intensification Factors and Barriers to the Development of Social Enterprises
за авторством: A. A. Svynchuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Svynchuk
Опубліковано: (2014)
Theoretical and experimental investigation of the plasma source with argon RF barrier discharge at atmospheric pressure
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009) -
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)