Зображення обкладинки

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2022
Автори:	Yo. Stadnyk, P. A. Shchepanskyi, Ya. Rudysh, R. B. Matviiv, R. S. Brezvin
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2022
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001342842
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)

Dilatometric Study of LiNH4SO4 Crystals with Manganese Impurity
за авторством: R. S. Brezvin, та інші
Опубліковано: (2022)

Birefringence properties of uniaxially compressed K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Dilatometric study of LiNH4SO4 crystals with manganese impurity
за авторством: R. S. Brezvin, та інші
Опубліковано: (2022)

Birefringence properties of uniaxially compressed K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2013)

A new LiNH4SO4 crystal with an isotropic point
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2012)

The baric changes of the refractive properties of K₂SO₄ crystals
за авторством: Stadnyk, V.Yo., та інші
Опубліковано: (2007)

A new LiNH4SO4 crystal with an isotropic point
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dependence of PbMoO₄ crystal damage threshold on Nd³⁺ concentration and method of doping
за авторством: Baumer, V.N., та інші
Опубліковано: (2010)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO₃ doped with Er³⁺
за авторством: Sarakovskis, A., та інші
Опубліковано: (2016)

Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO3 doped with Er3+
за авторством: A. Sarakovskis, та інші
Опубліковано: (2016)

Frequency dispersion of dielectric permittivity and dielectric losses in aqueous KCl and CsCl solutions depending on their state parameters
за авторством: S. Odinaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Research of the dependences of dielectric properties and frequency spectra of dielectric losses in NaCl aqueous solution on the state parameters
за авторством: S. Odinaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Frequency dispersion of dielectric permittivity and dielectric losses in aqueous KCl and CsCl solutions depending on their state parameters
за авторством: S. Odinaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Research of the dependences of dielectric properties and frequency spectra of dielectric losses in NaCl aqueous solution on the state parameters
за авторством: S. Odinaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2019)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)

Purification of raw material for cesium iodide single crystals and impurity concentration by low-temperature directional crystallization
за авторством: Eksperiandova, L.P.
Опубліковано: (2010)

Influence of Li-TCNQ impurities on dielectric properties of planar-oriented nematic liquid crystal
за авторством: V. E. Vovk, та інші
Опубліковано: (2018)

Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: V. E. Vovk, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of Li-TCNQ impurities on dielectric properties of planar-oriented nematic liquid crystal
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2018)

Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)

Impurity concentration influence on the correlation of the x-ray lines intensity in metal-fullerene crystals
за авторством: A. N. Drozdov, та інші
Опубліковано: (2009)

Взаємодія в системі MnSO₄—ZnSO₄—K₄P₂O₇—H₂O
за авторством: Антрапцева, Н.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Low-temperature magnetic field dependences of spontaneous mag-netization of low concentration (≤ 0.2 at.%) iron impurity electron system in mercury selenide crystal
за авторством: T. E. Govorkova, та інші
Опубліковано: (2019)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Dependence of electron states density of intercalated layer crystal on the intercalant concentration
за авторством: Tovstyuk, N.K., та інші
Опубліковано: (2002)

The Energy Spectrum of Graphene Doped with Nitrogen Impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Doping of a thermoelectric material by electroactive impurities
за авторством: I. I. Pavlovych, та інші
Опубліковано: (2010)

Parameters of dielectric model for nonlinear KTiORO4 crystals
за авторством: Ya. Dovhyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)

Temperature dependence of luminescence of LiF crystals doped with different metal oxides
за авторством: L. Lisitsyna, та інші
Опубліковано: (2020)

Crystal field parameter calculations for doped Pr³⁺ ion in Y₂SiO₅ crystal
за авторством: Zhmurin, P.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Theoretical studies of the local structures and EPR parameters for Cu²⁺ center in Cd₂(NH₄)₂(SO₄)₃ single crystal
за авторством: Li, Ch.-Y., та інші
Опубліковано: (2015)