Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
Влияние температуры на энергетические и частотные характеристики диодов Ганна мм-диапазона с гетерокатодом
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Arkusha, Yu. V., Prokhorov, E. D., Storozhenko, I. P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1104 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
Constructively technological features of HIC for millimeter autodyne on Gunn diodes
за авторством: S. D. Votoropin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. D. Votoropin
Опубліковано: (2006)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)
Schottky Diode Tripler in the 3-mm Wave Receiver for Investigation of Atmospheric Gases
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Clinotron as a frequency multiplier in the sub-mm waveband (λ=0.935 mm)
за авторством: M. V. Milcho, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. V. Milcho, та інші
Опубліковано: (2015)
Frequency multipliers on semiconductor diode structures
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018)
Action of Random Force on Gunn Domain
за авторством: Bass, F. G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bass, F. G., та інші
Опубліковано: (2012)
MM-Wave Band Balance Parametric Amplifier
за авторством: Kasyanenko, A. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kasyanenko, A. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Comparative Analysis of Parameters of 1D Small-Period Diffraction Gratings at MM and SubMM Waves
за авторством: Kostenko, A. A.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kostenko, A. A.
Опубліковано: (2013)
MM-Wave Spectrum of Acetic Acid (A-Type Transitions)
за авторством: Ilyushin, V. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ilyushin, V. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Frequency and Temperature Dependencies of Water Permittivity in Submillimeter Wave Range
за авторством: Malyshenko, Yu. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Malyshenko, Yu. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Dynamics of two-frequency avalanche-generator diodes of microwave range
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)
About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency
за авторством: P. R. Tripathy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: P. R. Tripathy, та інші
Опубліковано: (2011)
Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency
за авторством: Tripathy, P.R., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Tripathy, P.R., та інші
Опубліковано: (2011)
Impact of traps on current-voltage characteristic of ⁺--⁺ diode
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)
High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode
за авторством: Pashchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pashchenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Gunn Diode with Induced Channel in Active Region
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)