PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT
The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100°C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1176 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomy| id |
rpra-journalorgua-article-1176 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| institution |
Radio physics and radio astronomy |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2017-07-06T15:23:46Z |
| collection |
OJS |
| language |
Russian |
| topic |
pseudomorphic field-effect transistor with high electron mobility microwave amplifier low source voltage temperature stability |
| spellingShingle |
pseudomorphic field-effect transistor with high electron mobility microwave amplifier low source voltage temperature stability Korolev, A. M. PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT |
| topic_facet |
pseudomorphic field-effect transistor with high electron mobility microwave amplifier low source voltage temperature stability псевдоморфный полевой транзистор с высокой подвижностью электронов микроволновый усилитель низкое напряжение питания температурная стойкость псевдоморфний польовий транзистор з високою рухливістю електронів мікрохвильовий підсилювач низька напруга живлення температурна стійкість |
| format |
Article |
| author |
Korolev, A. M. |
| author_facet |
Korolev, A. M. |
| author_sort |
Korolev, A. M. |
| title |
PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT |
| title_short |
PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT |
| title_full |
PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT |
| title_fullStr |
PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT |
| title_full_unstemmed |
PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT |
| title_sort |
phemts as circuit elements for low-power-consumption receivers/amplifiers operating in a wide temperature range environment |
| title_alt |
ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КАК АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ОСОБО ЖЕСТКИХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУРНІ ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ ЯК АКТИВНІ ЕЛЕМЕНТИ ПРИЙМАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ ДЛЯ ОСОБЛИВО ЖОРСТКИХ УМОВ ЕКСПЛУАТАЦІЇ |
| description |
The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100°C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions. Key words: pseudomorphic field-effect transistor with high electron mobility, microwave amplifier, low source voltage, temperature stability Manuscript submitted 18.12.2013Radio phys. radio astron. 2014, 19(2): 181-185REFERENCES1. MAYSKAYA, V., 2006. Element base of electronics. Electronics: NTB. no. 5, pp. 1–27 (in Russian). 2. SHAKHNOVICH, I., 2005. Solid-state microwave devices and technologies. State and prospects. Electronics: NTB. no. 5, pp. 58–64 (in Russian). 3. LEBEDEV, A. and SBRUEV, S., 2006. SiC electronics. Past, present, future. Electronics: NTB. no. 5, pp. 28–41(in Russian). 4. NEUDECK, P. G., GARVERICK, S. L., SPRY, D. J., CHEN LIANG-Yu, BEHEIM, G. M., KRASOVSKI, M. J., and MEHREGANY, M., 2009. Extreme temperature 6H-SiC JFET integrated circuit technology. Phys. Status Solidi A. vol. 206, no. 10, pp. 2329–2345. DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.200925188 5. CHAO, Liu, YANBO, Li, and YIPING, Zeng, 2010. Progress in Antimonide Based III – V Compound Semiconductors and Devices. Engineering. no. 2, pp. 617–624. 6. BAUTISTA, J. J., 2008. HEMT low-noise amplifiers. In: MacgregorS. Reid editor. Low-noise systems in the deep space network. Pasadena, CA: Jet propulsion laboratory, California institute of technology, 389 p. 7. Agilent Technologies Products Technical Data. HighIntercept Low Noise Amplifiers for 1500 MHz through 2500 MHz using the ATF-34143 Low Noise PHEMT. Application Note 1175. – 2002. pp. 1–7. Available from:www. semiconductor. agilent. com 8. KOROLEV, A. M., SHULGA, V. M., and SHNYRCOV, V. I., 2011. Radio frequency ultra-low DC power consumption HEMT amplifier for quantum measurements at mK-temperature range. Rev. Sci. Instrum. vol. 82, no. 1, pp. 1145–1146. DOI: https://doi.org/10.1063/1.3518974 9. KOROLEV, A. M. and SHULGA , V. M., 2011. Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors. Radio Phys. Radio Astron. vol. 16, no. 4, pp. 433–439 (in Russian). 10. KOROLEV, A. M., 2011. Amplifier of the Intermediate Frequency of the Super heterodyne Radio Astronomy Receiver. Apparatus and Technique of the Experiment. no. 1, pp. 88–90 (in Russian). |
| publisher |
Видавничий дім «Академперіодика» |
| publishDate |
2014 |
| url |
http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1176 |
| work_keys_str_mv |
AT korolevam phemtsascircuitelementsforlowpowerconsumptionreceiversamplifiersoperatinginawidetemperaturerangeenvironment AT korolevam geterostrukturnyepolevyetranzistorykakaktivnyeélementypriemnyhustrojstvdlâosobožestkihuslovijékspluatacii AT korolevam geterostrukturnípolʹovítranzistoriâkaktivníelementiprijmalʹnihpristroívdlâosoblivožorstkihumovekspluatacíí |
| first_indexed |
2025-12-02T15:41:46Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:41:46Z |
| _version_ |
1850763760453550080 |
| spelling |
rpra-journalorgua-article-11762017-07-06T15:23:46Z PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КАК АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ОСОБО ЖЕСТКИХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУРНІ ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ ЯК АКТИВНІ ЕЛЕМЕНТИ ПРИЙМАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ ДЛЯ ОСОБЛИВО ЖОРСТКИХ УМОВ ЕКСПЛУАТАЦІЇ Korolev, A. M. pseudomorphic field-effect transistor with high electron mobility; microwave amplifier; low source voltage; temperature stability псевдоморфный полевой транзистор с высокой подвижностью электронов; микроволновый усилитель; низкое напряжение питания; температурная стойкость псевдоморфний польовий транзистор з високою рухливістю електронів; мікрохвильовий підсилювач; низька напруга живлення; температурна стійкість The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100°C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions. Key words: pseudomorphic field-effect transistor with high electron mobility, microwave amplifier, low source voltage, temperature stability Manuscript submitted 18.12.2013Radio phys. radio astron. 2014, 19(2): 181-185REFERENCES1. MAYSKAYA, V., 2006. Element base of electronics. Electronics: NTB. no. 5, pp. 1–27 (in Russian). 2. SHAKHNOVICH, I., 2005. Solid-state microwave devices and technologies. State and prospects. Electronics: NTB. no. 5, pp. 58–64 (in Russian). 3. LEBEDEV, A. and SBRUEV, S., 2006. SiC electronics. Past, present, future. Electronics: NTB. no. 5, pp. 28–41(in Russian). 4. NEUDECK, P. G., GARVERICK, S. L., SPRY, D. J., CHEN LIANG-Yu, BEHEIM, G. M., KRASOVSKI, M. J., and MEHREGANY, M., 2009. Extreme temperature 6H-SiC JFET integrated circuit technology. Phys. Status Solidi A. vol. 206, no. 10, pp. 2329–2345. DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.200925188 5. CHAO, Liu, YANBO, Li, and YIPING, Zeng, 2010. Progress in Antimonide Based III – V Compound Semiconductors and Devices. Engineering. no. 2, pp. 617–624. 6. BAUTISTA, J. J., 2008. HEMT low-noise amplifiers. In: MacgregorS. Reid editor. Low-noise systems in the deep space network. Pasadena, CA: Jet propulsion laboratory, California institute of technology, 389 p. 7. Agilent Technologies Products Technical Data. HighIntercept Low Noise Amplifiers for 1500 MHz through 2500 MHz using the ATF-34143 Low Noise PHEMT. Application Note 1175. – 2002. pp. 1–7. Available from:www. semiconductor. agilent. com 8. KOROLEV, A. M., SHULGA, V. M., and SHNYRCOV, V. I., 2011. Radio frequency ultra-low DC power consumption HEMT amplifier for quantum measurements at mK-temperature range. Rev. Sci. Instrum. vol. 82, no. 1, pp. 1145–1146. DOI: https://doi.org/10.1063/1.3518974 9. KOROLEV, A. M. and SHULGA , V. M., 2011. Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors. Radio Phys. Radio Astron. vol. 16, no. 4, pp. 433–439 (in Russian). 10. KOROLEV, A. M., 2011. Amplifier of the Intermediate Frequency of the Super heterodyne Radio Astronomy Receiver. Apparatus and Technique of the Experiment. no. 1, pp. 88–90 (in Russian). УДК 537.962: 621.382.32 Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −100 до +100°C с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности использования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях.Ключевые слова: псевдоморфный полевой транзистор с высокой подвижностью электронов, микроволновый усилитель, низкое напряжение питания, температурная стойкостьСтатья поступила в редакцию 18.12.2013Radio phys. radio astron. 2014, 19(2): 181-185СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ1. Майская В. Элементная база электроники // Электроника: НТБ. – 2006. – № 5. – С. 1–27.2. Шахнович И. Твердотельные СВЧ приборы и технологии. Состояние и перспективы // Электроника: НТБ. –2005. – № 5. – С. 58–64.3. Лебедев А., Сбруев С. SiC электроника. Прошлое, настоящее, будущее // Электроника: НТБ. – 2006. – № 5. –С. 28–41.4. Neudeck P. G., Garverick S. L., Spry D. J., Chen Liang-Yu,Beheim G. M., Krasovski M. J., and Mehregany M. Extremetemperature 6H-SiC JFET integrated circuit technology //Phys. Status Solidi A. – 2009. – Vol. 206, No. 10. –P. 2329–2345.5. Chao Liu, Yanbo Li, and Yiping Zeng. Progress in AntimonideBased III – V Compound Semiconductors and Devices //Engineering. – 2010. – No. 2. – P. 617–624.6. Bautista J. J. HEMT low-noise amplifiers. In: MacgregorS. Reid editor. Low-noise systems in the deep spacenetwork. – Pasadena, CA: Jet propulsion laboratory,California institute of technology, 2008. – 389 p.7. Agilent Technologies Products Technical Data. HighIntercept Low Noise Amplifiers for 1500 MHz through2500 MHz using the ATF-34143 Low Noise PHEMT. –Application Note 1175. – 2002. – P. 1–7. Available from:www. semiconductor. agilent. com8. Korolev A. M., Shulga V. M., and Shnyrcov V. I. Radiofrequencyultra-low DC power consumption HEMT amplifierfor quantum measurements at mK-temperature range //Rev. Sci. Instrum. – 2011. – Vol. 82, No. 1. – P. 1145–1146.9. Королев А. М., Шульга В. М. Ненасыщенный режим какальтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах // Радиофизика и радиоастрономия. –2011. – Т. 16, No. 4. – С. 433–439.10. Королев А. М. Усилитель промежуточной частоты супергетеродинного радиоастрономического приемника // Приборы и техника эксперимента. – 2011. – № 1. – С. 88–90. Запропоновано використовувати псевдоморфні польові транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT) як активні елементи високоекономічних мікрохвильових (1÷ 4 ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтервалі оточуючих температур. Експериментальний підсилювач функціонує в інтервалі температур від −100 до +100°C зберігаючи основні електричні характеристики. Видається обґрунтованим висновок про перспективність використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють в безперервному режимі за екстремальних навколишніх умов.Ключові слова: псевдоморфний польовий транзистор з високою рухливістю електронів, мікрохвильовий підсилювач, низька напруга живлення, температурна стійкість Стаття надійшла до редакції 18.12.2013Radio phys. radio astron. 2014, 19(2): 181-185СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ1. Майская В. Элементная база электроники // Электроника: НТБ. – 2006. – № 5. – С. 1–27.2. Шахнович И. Твердотельные СВЧ приборы и технологии. Состояние и перспективы // Электроника: НТБ. –2005. – № 5. – С. 58–64.3. Лебедев А., Сбруев С. SiC электроника. Прошлое, настоящее, будущее // Электроника: НТБ. – 2006. – № 5. –С. 28–41.4. Neudeck P. G., Garverick S. L., Spry D. J., Chen Liang-Yu,Beheim G. M., Krasovski M. J., and Mehregany M. Extremetemperature 6H-SiC JFET integrated circuit technology //Phys. Status Solidi A. – 2009. – Vol. 206, No. 10. –P. 2329–2345.5. Chao Liu, Yanbo Li, and Yiping Zeng. Progress in AntimonideBased III – V Compound Semiconductors and Devices // Engineering. – 2010. – No. 2. – P. 617–624.6. Bautista J. J. HEMT low-noise amplifiers. In: MacgregorS. Reid editor. Low-noise systems in the deep spacenetwork. – Pasadena, CA: Jet propulsion laboratory,California institute of technology, 2008. – 389 p.7. Agilent Technologies Products Technical Data. HighIntercept Low Noise Amplifiers for 1500 MHz through2500 MHz using the ATF-34143 Low Noise PHEMT. –Application Note 1175. – 2002. – P. 1–7. Available from:www. semiconductor. agilent. com8. Korolev A. M., Shulga V. M., and Shnyrcov V. I. Radiofrequencyultra-low DC power consumption HEMT amplifierfor quantum measurements at mK-temperature range //Rev. Sci. Instrum. – 2011. – Vol. 82, No. 1. – P. 1145–1146.9. Королев А. М., Шульга В. М. Ненасыщенный режим какальтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах // Радиофизика и радиоастрономия. –2011. – Т. 16, No. 4. – С. 433–439.10. Королев А. М. Усилитель промежуточной частоты супергетеродинного радиоастрономического приемника // Приборы и техника эксперимента. – 2011. – № 1. – С. 88–90. Видавничий дім «Академперіодика» 2014-06-06 Article Article application/pdf http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1176 10.15407/rpra19.02.181 РАДИОФИЗИКА И РАДИОАСТРОНОМИЯ; Vol 19, No 2 (2014); 181 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY; Vol 19, No 2 (2014); 181 РАДІОФІЗИКА І РАДІОАСТРОНОМІЯ; Vol 19, No 2 (2014); 181 2415-7007 1027-9636 10.15407/rpra19.02 ru http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1176/811 Copyright (c) 2014 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY |