Zozulia, V. O., Botsula, O. V., & Prykhodko, K. H. (2024). A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY. Видавничий дім «Академперіодика».
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Zozulia, V. O., O. V. Botsula, та K. H. Prykhodko. A PLANAR N⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY. Видавничий дім «Академперіодика», 2024.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Zozulia, V. O., et al. A PLANAR N⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY. Видавничий дім «Академперіодика», 2024.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.