A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
Предмет і мета роботи. Розглядається генерація електромагнітних коливань в міліметровому діапазоні планарними GaAs-діодами з активними бічними границями (АБГ). Діодні структури складаються з GaAs-каналу довжиною близько 1 мкм, який розміщено на напівізолюючій підкладці з напівпровідникового елементу...
Збережено в:
| Дата: | 2024 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2024
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1457 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |