Buchumschlag

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY

Предмет і мета роботи. Розглядається генерація електромагнітних коливань в міліметровому діапазоні планарними GaAs-діодами з активними бічними границями (АБГ). Діодні структури складаються з GaAs-каналу довжиною близько 1 мкм, який розміщено на напівізолюючій підкладці з напівпровідникового елементу...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2024
Hauptverfasser:	Zozulia, V. O., Botsula, O. V., Prykhodko, K. H.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Видавничий дім «Академперіодика» 2024
Schlagworte:	millimeter wave active side boundary (ASB) graded layer impact ionization mole fraction oscillation efficiency output power intervalley transfer of electrons
Online Zugang:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1457
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Radio physics and radio astronomy

Institution

Radio physics and radio astronomy

Ähnliche Einträge

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

ВИВЧЕННЯ ПОВЕДІНКИ GaN У КОНТАКТІ З Fe, Fe2-4N і Co/Cr ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ і ТЕМПЕРАТУРАХ
von: Петруша, І. A., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

ESTIMATING THE LEVEL OF TROPOSPHERIC ABSORPTION AT MICROWAVE FREQUENCIES AND OPERATIONAL PARAMETERS OF PERTINENT AERONOMIC AND RADIO ASTRONOMICAL INSTRUMENTS IN THE "MAXIMUM CONFIDENCE" TECHNIQUE
von: Myshenko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

N-Дифлуорометиліндазоли
von: Petko, Kirill I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

LUMINESCENT PROPERTIES OF Nd(III) COMPLEXES WITH ETHYLENEDIAMINE-N,N'-DISUCCINIC AND N,N-BIS(PHOSPHONOMETHYL)-2-AMINOPROPIONIC ACIDS
von: Trunova, Olena, et al.
Veröffentlicht: (2023)

The Endomorphism Monoids of (n − 3)-regular Graphs of Order n
von: Gyurov, Boyko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
von: Артеменко, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2021)

METHOD OF THE ATMOSPHERE BRIGHTNESS TEMPERATURE MEASURING AT FREQUENCIES AROUND 100 GHZ
von: Korolev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2024)

MILLIMETER WAVE SPECTROSCOPY OF THE GROUND, FIRST AND SECOND EXCITED TORSIONAL STATES OF ACETONE
von: Armieieva, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

РЕГУЛЮВАННЯ РЕЖИМІВ ЕЛЕКТРОПОСТАЧАННЯ В ЛОКАЛЬНИХ СИСТЕМАХ MICROGRID
von: Опришко, В.П.
Veröffentlicht: (2016)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

\(N\) – real fields
von: Feigelstock, Shalom
Veröffentlicht: (2018)

LOCAL OSCILLATORS FOR MM-WAVELENGTH AERONOMIC RECEIVERS
von: Myshenko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

MODERNIZATION OF THE KHARKIV MICROWAVE SPECTROMETER: CURRENT STATE
von: Alekseev, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Cosmic sources of the Earth's atmosphere ionization (review)
von: Raychenko, L.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)