A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY

• Datum: 2024
• Hauptverfasser: Zozulia, V. O., Botsula, O. V., Prykhodko, K. H.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Видавничий дім «Академперіодика» 2024
• Schlagworte: millimeter wave; active side boundary (ASB); graded layer; impact ionization; mole fraction; oscillation efficiency; output power; intervalley transfer of electrons
• Online Zugang: http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1457
• Назва журналу: Radio physics and radio astronomy

Предмет і мета роботи. Розглядається генерація електромагнітних коливань в міліметровому діапазоні планарними GaAs-діодами з активними бічними границями (АБГ). Діодні структури складаються з GaAs-каналу довжиною близько 1 мкм, який розміщено на напівізолюючій підкладці з напівпровідникового елементу...