ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS
Subject and Purpose. Creating hybrid-integrated semiconductor components in the millimeter wave range implies simplified manufacturing technology and reduced labor intensity. At the same time, these components offer the potential for improved electrical parameters compared to the waveguide counterpa...
Збережено в:
| Дата: | 2025 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2025
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1469 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomy| id |
rpra-journalorgua-article-1469 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| institution |
Radio physics and radio astronomy |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-06-18T13:34:04Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
asymmetric slot line asymmetric stripline IMPATT diode heat sink p–i–n diode thermal resistance millimeter range waveguide slot line |
| spellingShingle |
asymmetric slot line asymmetric stripline IMPATT diode heat sink p–i–n diode thermal resistance millimeter range waveguide slot line Karushkin, M. F. Rukyn, V. P. ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| topic_facet |
asymmetric slot line asymmetric stripline IMPATT diode heat sink p–i–n diode thermal resistance millimeter range waveguide slot line IMPATT-діод несиметрична щілинна лінія несиметрична смугова лінія міліметровий діапазон p–i–n-діод тепловий опір тепловідвід хвилевідна щілинна лінія |
| format |
Article |
| author |
Karushkin, M. F. Rukyn, V. P. |
| author_facet |
Karushkin, M. F. Rukyn, V. P. |
| author_sort |
Karushkin, M. F. |
| title |
ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| title_short |
ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| title_full |
ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| title_fullStr |
ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| title_full_unstemmed |
ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| title_sort |
asymmetric slot lines for creating millimeter-wave semiconductor components |
| title_alt |
НЕСИМЕТРИЧНІ ЩІЛИННІ ЛІНІЇ ДЛЯ СТВОРЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КОМПОНЕНТІВ ДІАПАЗОНУ МІЛІМЕТРОВИХ ХВИЛЬ |
| description |
Subject and Purpose. Creating hybrid-integrated semiconductor components in the millimeter wave range implies simplified manufacturing technology and reduced labor intensity. At the same time, these components offer the potential for improved electrical parameters compared to the waveguide counterparts. The article aims to explore methods for creating millimeter-wave devices using a waveguide asymmetric slot line combined with an asymmetric stripline accommodating active semiconductor structures.Methods and Methodology. The development of millimeter-wave hybrid-integrated semiconductor active components upon transistors, avalanche diodes, and p–i–n diodes is considered. An asymmetric slot line (ASL) is used as a transmission line installed in the E-plane of a regular waveguide. The ASL base material is a low-loss dielectric stuff RT/duroid 5880 with dielectric constant ε = 2.2. The semiconductor elements are bonded to a short section of an asymmetric stripline fabricated by partial metallization of an asymmetric corner line. The insertion of a low-impedance asymmetric stripline section equipped with a heat sink allows efficient active semiconductor microwave components of continuous-wave and pulse modes. This design also supports high-speed switching devices of a wide frequency band of operation.Results. Directing away large heat fluxes generated during the operation of the active elements is a growing challenge in developing and making millimeter-wave semiconductor components. The paper provides examples of the efficient microwave power level increase by reducing the operating temperature of the components. Extended-geometry active components (IM- PATT diodes) also serve the purpose. These methods enabled us to increase the output power of the microwave devices by 40 to 50%, the temperature of the p-n junction of the active element therewith was not increasing. This allows microwave power amplifiers to be built around semiconductor distributed-parameter structures like narrow, wavelength-comparable strips.Conclusion. The authors’ developments have been presented against the background of contemporary information on the current state and progress in the creation of millimeter-wave components of hybrid-integrated design.Keywords: asymmetric slot line; asymmetric stripline; IMPATT diode; heat sink; p–i–n diode; thermal resistance; millimeter range; waveguide slot lineManuscript submitted 10.12.2024Radio phys. radio astron. 2025, 30(2): 120-128REFERENCES1. Dib, N.I., Harokopus, W.P., Katehi, P.B., Ling, C.C., Rebeiz, G.M, 1991. Study of novel planar transmission line. In: IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. Boston, MA, USA, 10—14 July 1991, pp. 623—626. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1991.1470802. Kravchuk, S.O., Narytnyk, T.M., 2015. Terahertz range telecommunications systems. Monograph. Zhitomir: IE «Evenok O.O.». 208 c.3. Kasatkin, L.V., and Karushkin, N.F., 2000. Stabilization of RF Injection-locked Pulsed IMPATT Oscillators. Microwave Journal (MWJ), September, pp. 172—80.4. Zgurovsky, M.Z., Ilchenko, M.E., Kravchuk, S.A., Narytnyk, T.M., Yakymenko, Y.M., 2003. Microwave devices of telecom- munication systems. Vol. 1. Kyiv: Publishing house Polytechnic.5. Fitsimmons, Q.W., 1972. Heat Sinking C. W. TRAPATT – oscillations. Microwaves, 8, pp. 50—59.6. Kasatkin, L.V., Chaika, V.E., 2006. Semiconductor devices of the millimeter wave range. Sevastopol: Weber Publ.7. Karushkin, M.F., 1999. Millimeter-range power sources on avalanche-flight diodes with distributed parameters. University Bull. Radioelectronics, 42(7), pp. 47—54.8. Butorin, V.M., Karushkin, N.F., 1997. Semiconductor microwave diode. Ukraine Pat. 15048 (in Ukrainian).9. Kasatkin, L.V., Rukin, V.P., 2005. Power semiconductor pulsers with injection locking for millimeter range of wavelengths. Radioelectron. Commun. Syst., 48(6), pp. 1—11. DOI: 10.3103/S073527270506001410. Bychok, A., Volkov, Ye., Karushkin, N., Rukyn, V., 2024. THz-radiation sources on silicon avalanche transit time diodes. Radioelectron. Commun. Syst., 67(4), pp. 212—224. DOI: https://doi.org/10.20535/S002134702405003011. Karushkin, N., Obukhov, I., 2021. Source of submillimeter radiation on silicon avalanche-drive diodes. Infocommunication and radioelectronic technologies, 4(2), pp. 95—106.12. Courtney, P.G., Zeng, J. Tran, Th., Trinh, H., Behan, S., 2015. 120W Ka Band Power Amplifier Utilizing GaN MMICs and Coaxial Waveguide Spatial Power Combining. In: 2015 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS). New Orleans, LA, USA, 11—14 Oct. 2015. [pdf]. IEEE, 2015. Available from: www.qorvo.com/-/media/files/ qorvopublic/white-papers/120-watt-ka-band-power-amplifier-utilizing-gan-mmics-and-coaxial-waveguide-spatial-pow- er-combining.pdf DOI: https://doi.org/10.1109/CSICS.2015.731445713. Tkachenko, V.V., Mai, A.V., Mai, V.I., Udod, Y.O., Ugrin, M.I., 2006. Monolithic frequency converters 5 and 3 bands. Tech- nology and design in electronic equipment, 5, pp. 7—8.14. Bosy, V.I., Ivashchuk, O.V., Kovalchuk, V.N., Semashko, O.M., 2003. Power UHF transistors on the wide bandgap semicon- ductors. Technology and design in electronic equipment, 3, pp. 53—58.15. Kornaukhov, A.V., Shabanov, V.M., 1976. Amplification of electromagnetic waves in a distributed avalanche-span diode. University Bull. Radioelectron., XIX(3), pp. 29—33.16. Avdeenko, G.L., Bychok, A.V., Narytnyk, T.M., Karushkin, M.F., Kryuchkova, L.P., 2024. Solid-state powerful semiconduc- tor sources of millimeter waves on semiconductor diode elements. In: Materials of the International Scientific and Technical Conference «Information and Communication Technologies and Cybersecurity» (IKTK-2024), pp. 36—49. Kharkiv, KhNURE Publ.17. Karushkin, N.F., Malyshko, V.V., Orekhovsky, V.A., Tukharynov, A.A., 2016. Millimeter wave p–i–n-diode switching con- trolled devices. Technology and design in electronic equipment, 4—5, pp. 34—41. DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2016.4-5.34 |
| publisher |
Видавничий дім «Академперіодика» |
| publishDate |
2025 |
| url |
http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1469 |
| work_keys_str_mv |
AT karushkinmf asymmetricslotlinesforcreatingmillimeterwavesemiconductorcomponents AT rukynvp asymmetricslotlinesforcreatingmillimeterwavesemiconductorcomponents AT karushkinmf nesimetričníŝílinnílíníídlâstvorennânapívprovídnikovihkomponentívdíapazonumílímetrovihhvilʹ AT rukynvp nesimetričníŝílinnílíníídlâstvorennânapívprovídnikovihkomponentívdíapazonumílímetrovihhvilʹ |
| first_indexed |
2025-12-02T15:28:45Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:28:45Z |
| _version_ |
1851757485571964928 |
| spelling |
rpra-journalorgua-article-14692025-06-18T13:34:04Z ASYMMETRIC SLOT LINES FOR CREATING MILLIMETER-WAVE SEMICONDUCTOR COMPONENTS НЕСИМЕТРИЧНІ ЩІЛИННІ ЛІНІЇ ДЛЯ СТВОРЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КОМПОНЕНТІВ ДІАПАЗОНУ МІЛІМЕТРОВИХ ХВИЛЬ Karushkin, M. F. Rukyn, V. P. asymmetric slot line; asymmetric stripline; IMPATT diode; heat sink; p–i–n diode; thermal resistance; millimeter range; waveguide slot line IMPATT-діод; несиметрична щілинна лінія; несиметрична смугова лінія; міліметровий діапазон; p–i–n-діод; тепловий опір; тепловідвід; хвилевідна щілинна лінія Subject and Purpose. Creating hybrid-integrated semiconductor components in the millimeter wave range implies simplified manufacturing technology and reduced labor intensity. At the same time, these components offer the potential for improved electrical parameters compared to the waveguide counterparts. The article aims to explore methods for creating millimeter-wave devices using a waveguide asymmetric slot line combined with an asymmetric stripline accommodating active semiconductor structures.Methods and Methodology. The development of millimeter-wave hybrid-integrated semiconductor active components upon transistors, avalanche diodes, and p–i–n diodes is considered. An asymmetric slot line (ASL) is used as a transmission line installed in the E-plane of a regular waveguide. The ASL base material is a low-loss dielectric stuff RT/duroid 5880 with dielectric constant ε = 2.2. The semiconductor elements are bonded to a short section of an asymmetric stripline fabricated by partial metallization of an asymmetric corner line. The insertion of a low-impedance asymmetric stripline section equipped with a heat sink allows efficient active semiconductor microwave components of continuous-wave and pulse modes. This design also supports high-speed switching devices of a wide frequency band of operation.Results. Directing away large heat fluxes generated during the operation of the active elements is a growing challenge in developing and making millimeter-wave semiconductor components. The paper provides examples of the efficient microwave power level increase by reducing the operating temperature of the components. Extended-geometry active components (IM- PATT diodes) also serve the purpose. These methods enabled us to increase the output power of the microwave devices by 40 to 50%, the temperature of the p-n junction of the active element therewith was not increasing. This allows microwave power amplifiers to be built around semiconductor distributed-parameter structures like narrow, wavelength-comparable strips.Conclusion. The authors’ developments have been presented against the background of contemporary information on the current state and progress in the creation of millimeter-wave components of hybrid-integrated design.Keywords: asymmetric slot line; asymmetric stripline; IMPATT diode; heat sink; p–i–n diode; thermal resistance; millimeter range; waveguide slot lineManuscript submitted 10.12.2024Radio phys. radio astron. 2025, 30(2): 120-128REFERENCES1. Dib, N.I., Harokopus, W.P., Katehi, P.B., Ling, C.C., Rebeiz, G.M, 1991. Study of novel planar transmission line. In: IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. Boston, MA, USA, 10—14 July 1991, pp. 623—626. DOI: https://doi.org/10.1109/MWSYM.1991.1470802. Kravchuk, S.O., Narytnyk, T.M., 2015. Terahertz range telecommunications systems. Monograph. Zhitomir: IE «Evenok O.O.». 208 c.3. Kasatkin, L.V., and Karushkin, N.F., 2000. Stabilization of RF Injection-locked Pulsed IMPATT Oscillators. Microwave Journal (MWJ), September, pp. 172—80.4. Zgurovsky, M.Z., Ilchenko, M.E., Kravchuk, S.A., Narytnyk, T.M., Yakymenko, Y.M., 2003. Microwave devices of telecom- munication systems. Vol. 1. Kyiv: Publishing house Polytechnic.5. Fitsimmons, Q.W., 1972. Heat Sinking C. W. TRAPATT – oscillations. Microwaves, 8, pp. 50—59.6. Kasatkin, L.V., Chaika, V.E., 2006. Semiconductor devices of the millimeter wave range. Sevastopol: Weber Publ.7. Karushkin, M.F., 1999. Millimeter-range power sources on avalanche-flight diodes with distributed parameters. University Bull. Radioelectronics, 42(7), pp. 47—54.8. Butorin, V.M., Karushkin, N.F., 1997. Semiconductor microwave diode. Ukraine Pat. 15048 (in Ukrainian).9. Kasatkin, L.V., Rukin, V.P., 2005. Power semiconductor pulsers with injection locking for millimeter range of wavelengths. Radioelectron. Commun. Syst., 48(6), pp. 1—11. DOI: 10.3103/S073527270506001410. Bychok, A., Volkov, Ye., Karushkin, N., Rukyn, V., 2024. THz-radiation sources on silicon avalanche transit time diodes. Radioelectron. Commun. Syst., 67(4), pp. 212—224. DOI: https://doi.org/10.20535/S002134702405003011. Karushkin, N., Obukhov, I., 2021. Source of submillimeter radiation on silicon avalanche-drive diodes. Infocommunication and radioelectronic technologies, 4(2), pp. 95—106.12. Courtney, P.G., Zeng, J. Tran, Th., Trinh, H., Behan, S., 2015. 120W Ka Band Power Amplifier Utilizing GaN MMICs and Coaxial Waveguide Spatial Power Combining. In: 2015 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS). New Orleans, LA, USA, 11—14 Oct. 2015. [pdf]. IEEE, 2015. Available from: www.qorvo.com/-/media/files/ qorvopublic/white-papers/120-watt-ka-band-power-amplifier-utilizing-gan-mmics-and-coaxial-waveguide-spatial-pow- er-combining.pdf DOI: https://doi.org/10.1109/CSICS.2015.731445713. Tkachenko, V.V., Mai, A.V., Mai, V.I., Udod, Y.O., Ugrin, M.I., 2006. Monolithic frequency converters 5 and 3 bands. Tech- nology and design in electronic equipment, 5, pp. 7—8.14. Bosy, V.I., Ivashchuk, O.V., Kovalchuk, V.N., Semashko, O.M., 2003. Power UHF transistors on the wide bandgap semicon- ductors. Technology and design in electronic equipment, 3, pp. 53—58.15. Kornaukhov, A.V., Shabanov, V.M., 1976. Amplification of electromagnetic waves in a distributed avalanche-span diode. University Bull. Radioelectron., XIX(3), pp. 29—33.16. Avdeenko, G.L., Bychok, A.V., Narytnyk, T.M., Karushkin, M.F., Kryuchkova, L.P., 2024. Solid-state powerful semiconduc- tor sources of millimeter waves on semiconductor diode elements. In: Materials of the International Scientific and Technical Conference «Information and Communication Technologies and Cybersecurity» (IKTK-2024), pp. 36—49. Kharkiv, KhNURE Publ.17. Karushkin, N.F., Malyshko, V.V., Orekhovsky, V.A., Tukharynov, A.A., 2016. Millimeter wave p–i–n-diode switching con- trolled devices. Technology and design in electronic equipment, 4—5, pp. 34—41. DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2016.4-5.34 Предмет і мета роботи. Створення напівпровідникових компонентів гібридно-інтегрального типу у діапазоні міліметрових хвиль дозволяє спростити технологію їх виготовлення та знизити трудомісткість. При цьому з’являється потенційна можливість реалізувати покращені електричні параметри компонентів, порівняно з їх хвилевідними аналогами.Методи та методологія. У роботі розглядається створення активних напівпровідникових компонентів у діапазоні міліметрових хвиль у гібридно-інтегральному виконанні із застосуванням транзисторів, лавинно-пролітних та p–i–n-діодів. В якості лінії передачі використовується несиметрична щілинна лінія (НЩЛ), яка встановлюється в Е-площині регулярного хвилеводу.Результати.Базовим матеріалом для НЩЛ слугував діелектричний матеріал RT/duroid 5880 з малими втратами та величиною діелектричної проникності ε =2.2. Монтаж напівпровідникових елементів проводився на короткій ділянці несиметричної смужкової лінії, яка була утворена за рахунок перекриття металевими шарами несиметричної лінії. Наявність ділянки несиметричної смужкової лінії з низьким хвильовим опором та її розташування на тепловідводі дозволяє створювати ефективні активні напівпровідникові НВЧ-компоненти безперервної та імпульсної дії, а також швидкодіючі перемикальні пристрої з широкою робочою смугою частот. Відведення великих потоків тепла, що виділяється під час експлуатації активних елементів, є однією з основних проблем при розробленні та створенні напівпровідникових компонентів у діапазоні міліметрових хвиль. У роботі наводяться приклади ефективного підвищення рівня НВЧ-потужності за рахунок застосування зниження температури експлуатації компонентів, а також використання активних елементів (IMPATT-діодів) з розвиненою геометрією, що дозволило збільшити вихідну потужність НВЧ-пристроїв на 40…50 % без підвищення температури p–n-переходу активного елемента. Це дозволяє створювати підсилювачі НВЧ-потужності на напівпровідникових структурах з розподіленими параметрами, виконаних у вигляді вузьких смужок, які можна порівняти з довжиною хвилі.Висновки. У роботі описуються результати розробок, виконаних власне авторами, та наводиться інформація про роботи, які відображають стан та досягнення в галузі створення компонентів діапазону міліметрових хвиль у гібридно-інтегральному виконанні.Ключові слова: IMPATT-діод; несиметрична щілинна лінія; несиметрична смугова лінія; міліметровий діапазон; p–i–n-діод; тепловий опір; тепловідвід; хвилевідна щілинна лініяСтаття надійшла до редакції 10.12.2024Radio phys. radio astron. 2025, 30(2): 120-128БІБЛІОГРАФІЧНИЙ СПИСОК1. Dib N.I., Harokopus W.P., Katehi P.B., Ling C.C., Rebeiz G.M. Study of novel planar transmission line. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. Boston, MA, USA, 10—14 July 1991, pp. 623—626. DOI: 10.1109/ MWSYM.1991.1470802. Кравчук С.О. Наритник Т.М. Телекомунікаційні системи терагерцевого діапазону. Монографія. Житомир: ФОП«Євенок О.О.» 2015. 208 с.3. Kasatkin L.V., and Karushkin N.F. Stabilization of RF Injection-locked Pulsed IMPATT Oscillators. Microwave Journal (MWJ). 2000. September. P. 172—180.4. Згуровський М.З., Ільченко М.Є., Кравчук С.А., Наритник Т.М., Якименко Ю.М. Мікрохвильові пристрої телекомунікаційних систем. Т. 1. Київ: Полiтехнiка, 2003. 454 с.5. Fitsimmons Q.W. Heat Sinking C.W. TRAPATT — oscillations. Microwaves. 1972. No 8. C. 50—59.6. Касаткін Л.В., Чайка В.Є. Напівпровідникові пристрої діапазону міліметрових хвиль. Вебер. Україна. 2006. 319 с.7. Карушкін М.Ф. Джерела потужності міліметрового діапазону на лавинно-пролітних діодах з розподіленими па- раметрами. Вісті вузів. Радіоелектроніка. 1999. Т. 42, № 7. С. 47—54.8. Hапівпровідниковий НВЧ-діод: пат. 15048, Україна: MPK H01L47/00 H01L29/868/ В.М. Буторін, М.Ф. Карушкін.№ 94042624; заявл. 28.04.94; опубл. 30.06.1997.9. Касаткін Л.В., Рукин В.П. Потужні імпульсні напівпровідникові джерела міліметрового діапазону довжин хвиль у режимі зовнішньої синхронізації. Вісті вузів. Радіоелектроніка. 2005. Т. 48, № 6. С. 3—19.10. Бичок А.В., Волков Є.Г., Карушкін М.Ф., Рукін В.П. Джерела НВЧ-випромінювання терагерцевого діапазону на кремнієвих лавинно-пролітних діодах. Вісті вузів. Радіоелектроніка. 2024. Т. 67, № 4. С. 238—252. DOI: 10.20535/ S002134702405003011. Karushkin N., Obukhov I., Source of submillimeter radiation on silicon avalanche-drive diodes. Infocommunication and radioelectronic technologies. 2021. Vol. 4, Iss. 2. P. 95—106.12. Courtney P.G., Zeng J., Tran Th., Trinh H., Behan S. 120W Ka Band Power Amplifier Utilizing GaN MMICs and Coaxial Waveguide Spatial Power Combining. 2015 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS). New Orleans, LA, USA, 11—14 Oct. 2015. IEEE, 2015. URL: www.qorvo.com/-/media/files/qorvopublic/white-papers/120- watt-ka-band-power-amplifier-utilizing-gan-mmics-and-coaxial-waveguide-spatial-power-combining.pdf13. Ткаченко В.В., Май А.В., Май В.І., Удод Ю.О., Угрін М.І. Монолітні перетворювачі частоти 5- та 3-міліметрового діапазонів. Технологія та конструювання в електронній апаратурі. 2006. № 5. C. 7—8.14. Босий В.І., Іващук О.В., Ковальчук В.Н., Семашко О.М. Потужні НВЧ-транзистори на основі широкозонних напівпровідників. Технологія та конструювання в електронній апаратурі. 2003. № 3. C. 53—58.15. Kornaukhov A.V., Shabanov V.M., 1976. Amplification of electromagnetic waves in a distributed avalanche-span diode. University Bull. Radioelectron. Vol. XIX, Iss. 3. P. 29—33.16. Авдєєнко Г.Л., Бичок А.В., Наритник Т.М., Карушкін М.Ф., Крючкова Л.П. Твердотільні потужні напівпровіднико- ві джерела міліметрових хвиль на напівпровідникових діодних елементах. Матеріали Міжнар. наук.-техн. конф. «Інформаційно-комунікаційні технології та кібербезпека» (IКTK-2024). Харків, ХНУРЕ, 2024. С. 36—49.17. Карушкін Н.Ф., Малишко В.В., Орєховський В.А., Тухаринов А.А. Комутаційні керовані пристрої на р–i–n-діодах міліметрового діапазону довжин хвиль. Технологія та конструювання в електронній апаратурі. 2016. № 4—5. С. 34—41. DOI: 10.15222/TKEA2016.4-5.34 Видавничий дім «Академперіодика» 2025-06-12 Article Article application/pdf http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1469 10.15407/rpra30.02.120 РАДИОФИЗИКА И РАДИОАСТРОНОМИЯ; Vol 30, No 2 (2025); 120 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY; Vol 30, No 2 (2025); 120 РАДІОФІЗИКА І РАДІОАСТРОНОМІЯ; Vol 30, No 2 (2025); 120 2415-7007 1027-9636 10.15407/rpra30.02 uk http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/1469/pdf Copyright (c) 2025 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY |