Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | Beletskij, N. N., Gasan, E. A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2012
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/28 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
-
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015) -
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015) -
Plasmon-polariton surface waves in nonuniform semiconductor structure
за авторством: V. I. Lapshin
Опубліковано: (2009) -
Surface plasmon-polariton resonance at diffraction of THz radiation on semiconductor gratings
за авторством: I. S. Spevak, та інші
Опубліковано: (2016) -
Surface plasmon-polariton resonance at diffraction of THz radiation on semiconductor gratings
за авторством: Spevak, I.S., та інші
Опубліковано: (2016)