Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
Предложен новый подход к разработке криогенно охлаждаемых малошумящих усилителей в диапазоне 0.5-4 ГГц. Особое внимание уделено устойчивости и шумовым характеристикам при криогенных температурах. При охлаждении до 20-80 К шумовая температура представленных устройств составляет единицы градусов Кельв...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Online Access: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
Radio physics and radio astronomy| id |
rpra-journalorgua-article-612 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
rpra-journalorgua-article-6122013-02-08T00:31:43Z Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers Korolev, O. M. Shulga, V. M. Предложен новый подход к разработке криогенно охлаждаемых малошумящих усилителей в диапазоне 0.5-4 ГГц. Особое внимание уделено устойчивости и шумовым характеристикам при криогенных температурах. При охлаждении до 20-80 К шумовая температура представленных устройств составляет единицы градусов Кельвина. Такие значения являются лучшим результатом для устройств на коммерчески доступных псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах (PHEMT) и близки к характеристикам аналогов на фосфид-индиевых HEMT, специально предназначенных для охлаждаемых усилителей. Основная область применения разработанных усилителей – радиоастрономические приемные устройства, в которых эти усилители могут использоваться в качестве входных или как усилители промежуточных частот. A novel approach is suggested to design the cryogenically cooled low-noise amplifiers for the frequency range 0.5 to 4 GHz with emphasis on noise and stability performances. When cooled to 20-80 Kelvin, the noise temperature of the represented devices, being about a few degrees Kelvin, shows to be the best for the devices on commercially available PHEMTs being close to those using special-purpose cooled InP-HEMTs. The major scope of application for such devices are radio astronomy receivers where these amplifiers can be used either as input or IF ones. Видавничий дім «Академперіодика» 2013-02-07 Article Article application/pdf http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612 РАДИОФИЗИКА И РАДИОАСТРОНОМИЯ; Vol 12, No 1 (2007); 84 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY; Vol 12, No 1 (2007); 84 РАДІОФІЗИКА І РАДІОАСТРОНОМІЯ; Vol 12, No 1 (2007); 84 2415-7007 1027-9636 ru http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612/182 |
| institution |
Radio physics and radio astronomy |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2013-02-08T00:31:43Z |
| collection |
OJS |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| author |
Korolev, O. M. Shulga, V. M. |
| spellingShingle |
Korolev, O. M. Shulga, V. M. Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers |
| author_facet |
Korolev, O. M. Shulga, V. M. |
| author_sort |
Korolev, O. M. |
| title |
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers |
| title_short |
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers |
| title_full |
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers |
| title_fullStr |
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers |
| title_full_unstemmed |
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers |
| title_sort |
ultra-low-noise cryogenic phemt amplifiers |
| title_alt |
Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах |
| description |
Предложен новый подход к разработке криогенно охлаждаемых малошумящих усилителей в диапазоне 0.5-4 ГГц. Особое внимание уделено устойчивости и шумовым характеристикам при криогенных температурах. При охлаждении до 20-80 К шумовая температура представленных устройств составляет единицы градусов Кельвина. Такие значения являются лучшим результатом для устройств на коммерчески доступных псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах (PHEMT) и близки к характеристикам аналогов на фосфид-индиевых HEMT, специально предназначенных для охлаждаемых усилителей. Основная область применения разработанных усилителей – радиоастрономические приемные устройства, в которых эти усилители могут использоваться в качестве входных или как усилители промежуточных частот. |
| publisher |
Видавничий дім «Академперіодика» |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612 |
| work_keys_str_mv |
AT korolevom sverhmalošumâŝiekriogennoohlaždaemyeusilitelinapsevdomorfnyhgeterostrukturnyhpolevyhtranzistorah AT shulgavm sverhmalošumâŝiekriogennoohlaždaemyeusilitelinapsevdomorfnyhgeterostrukturnyhpolevyhtranzistorah AT korolevom ultralownoisecryogenicphemtamplifiers AT shulgavm ultralownoisecryogenicphemtamplifiers |
| first_indexed |
2025-12-02T15:49:21Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:49:21Z |
| _version_ |
1850412170234298368 |