GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomy| Резюме: | На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм-диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта. |
|---|