GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active regio...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomy| _version_ | 1856543434626564096 |
|---|---|
| author | Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. |
| author_facet | Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. |
| author_sort | Storozhenko, I. P. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2013-02-08T22:50:03Z |
| description | The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active region and resonance electron tunneling in n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs diode cathode region are studied. It is shown that the GaAs Gunn diodes with AlAs-GaAs-AlAs resonance tunnel cathode may have three voltage-spaced zones of millimeter wavelength oscillation. The voltage-current, power and frequency characteristics are found for the diodes with different lengths of i:AlAs layers and cross-sectional areas of a cathode contact. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:49:44Z |
| format | Article |
| id | rpra-journalorgua-article-639 |
| institution | Radio physics and radio astronomy |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:49:44Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Видавничий дім «Академперіодика» |
| record_format | ojs |
| spelling | rpra-journalorgua-article-6392013-02-08T22:50:03Z GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active region and resonance electron tunneling in n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs diode cathode region are studied. It is shown that the GaAs Gunn diodes with AlAs-GaAs-AlAs resonance tunnel cathode may have three voltage-spaced zones of millimeter wavelength oscillation. The voltage-current, power and frequency characteristics are found for the diodes with different lengths of i:AlAs layers and cross-sectional areas of a cathode contact. На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм-диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта. Видавничий дім «Академперіодика» 2013-02-08 Article Article application/pdf http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 РАДИОФИЗИКА И РАДИОАСТРОНОМИЯ; Vol 11, No 4 (2006); 385 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY; Vol 11, No 4 (2006); 385 РАДІОФІЗИКА І РАДІОАСТРОНОМІЯ; Vol 11, No 4 (2006); 385 2415-7007 1027-9636 ru http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639/190 |
| spellingShingle | Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title | GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_alt | GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом |
| title_full | GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_fullStr | GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_full_unstemmed | GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_short | GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_sort | gaas gunn diodes with alas-gaas-alas resonance tunnel cathode |
| url | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| work_keys_str_mv | AT storozhenkoip gaasgunndiodeswithalasgaasalasresonancetunnelcathode AT prokhoroved gaasgunndiodeswithalasgaasalasresonancetunnelcathode AT bothulaov gaasgunndiodeswithalasgaasalasresonancetunnelcathode AT storozhenkoip gaasdiodygannasalasgaasalasrezonansnotunnelʹnymkatodom AT prokhoroved gaasdiodygannasalasgaasalasrezonansnotunnelʹnymkatodom AT bothulaov gaasdiodygannasalasgaasalasrezonansnotunnelʹnymkatodom |