GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomy| id |
rpra-journalorgua-article-639 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
rpra-journalorgua-article-6392013-02-08T22:50:03Z GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм-диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта. The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active region and resonance electron tunneling in n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs diode cathode region are studied. It is shown that the GaAs Gunn diodes with AlAs-GaAs-AlAs resonance tunnel cathode may have three voltage-spaced zones of millimeter wavelength oscillation. The voltage-current, power and frequency characteristics are found for the diodes with different lengths of i:AlAs layers and cross-sectional areas of a cathode contact. Видавничий дім «Академперіодика» 2013-02-08 Article Article application/pdf http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 РАДИОФИЗИКА И РАДИОАСТРОНОМИЯ; Vol 11, No 4 (2006); 385 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY; Vol 11, No 4 (2006); 385 РАДІОФІЗИКА І РАДІОАСТРОНОМІЯ; Vol 11, No 4 (2006); 385 2415-7007 1027-9636 ru http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639/190 |
| institution |
Radio physics and radio astronomy |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2013-02-08T22:50:03Z |
| collection |
OJS |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| author |
Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. |
| spellingShingle |
Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| author_facet |
Storozhenko, I. P. Prokhorov, E. D. Bothula, O. V. |
| author_sort |
Storozhenko, I. P. |
| title |
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_short |
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_full |
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_fullStr |
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_full_unstemmed |
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
| title_sort |
gaas gunn diodes with alas-gaas-alas resonance tunnel cathode |
| title_alt |
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом |
| description |
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм-диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта. |
| publisher |
Видавничий дім «Академперіодика» |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
| work_keys_str_mv |
AT storozhenkoip gaasdiodygannasalasgaasalasrezonansnotunnelʹnymkatodom AT prokhoroved gaasdiodygannasalasgaasalasrezonansnotunnelʹnymkatodom AT bothulaov gaasdiodygannasalasgaasalasrezonansnotunnelʹnymkatodom AT storozhenkoip gaasgunndiodeswithalasgaasalasresonancetunnelcathode AT prokhoroved gaasgunndiodeswithalasgaasalasresonancetunnelcathode AT bothulaov gaasgunndiodeswithalasgaasalasresonancetunnelcathode |
| first_indexed |
2025-12-02T15:49:44Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:49:44Z |
| _version_ |
1850412194596913152 |