Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходн...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | Storozhenko, I. P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/654 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
-
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006) -
Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
за авторством: I. P. Storozhenko
Опубліковано: (2015)