Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Storozhenko, I. P. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Online Zugang: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/654 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
Radio physics and radio astronomyÄhnliche Einträge
-
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006) -
Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
von: I. P. Storozhenko
Veröffentlicht: (2015)