Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходн...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Author: | Storozhenko, I. P. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Online Access: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/654 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
Radio physics and radio astronomySimilar Items
-
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013) -
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
by: I. P. Storozhenko, et al.
Published: (2016) -
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
by: Стороженко, И.П.
Published: (2006) -
Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
by: I. P. Storozhenko
Published: (2015)