Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...
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| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
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| Online Zugang: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/736 |
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| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
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