On Increasing of Stability of HEMT Low Noise Amplifiers
В настоящей работе описывается способ повышения устойчивости усилителей на HEMT, основанный на непосредственном каскадировании в сочетании с местной обратной связью. Теоретически и экспериментально подтверждена возможность предотвращения паразитной генерации вне рабочей полосы частот усилителя без у...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Korolev, O. M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
| Online Zugang: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/778 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Institution
Radio physics and radio astronomyÄhnliche Einträge
-
Peculiarities of HEMT Ultra-Low-Noise Amplifier Implementation at Non-Сryogenic Сooling Level
von: Korolev, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
von: Korolev, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors
von: Korolev, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Ultra-Low-Noise Operation of Broadband Uncooled PHEMT Amplifier in Ultrahigh-Frequency Band
von: Korolev, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
von: V. P. Popov, et al.
Veröffentlicht: (2013)