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Ultra-Low-Noise Operation of Broadband Uncooled PHEMT Amplifier in Ultrahigh-Frequency Band

In this paper, an approach to the design of broadband HEMT LNA is proposed, based on the selection of the transistor type adequate to the operation band. By way of the L-band amplifier, the feasibility of ultra-low-noise matching of general-purpose FET is shown. Under these conditions, the noise tem...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Korolev, O. M., Shulga, V. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Online Zugang:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/792
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Назва журналу:	Radio physics and radio astronomy

Institution

Radio physics and radio astronomy

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