Зображення обкладинки

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region

Gunn Diode with Induced Channel in Active Region

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Arkusha, Yu. V., Prokhorov, E. D., Storozhenko, I. P.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Онлайн доступ:	http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/867
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Radio physics and radio astronomy

Репозитарії

Radio physics and radio astronomy

Схожі ресурси

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Constructively technological features of HIC for millimeter autodyne on Gunn diodes
за авторством: S. D. Votoropin
Опубліковано: (2006)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Action of Random Force on Gunn Domain
за авторством: Bass, F. G., та інші
Опубліковано: (2012)

Electric field and carrier concentration distributions in the semiconductor under photorefractive Gunn effect
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics
за авторством: Kanevsky, S.O., та інші
Опубліковано: (2003)

Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)

Engineering evaluation of the growth of low-temperature lamellar hydrogen-induced delaminations in the case of their channel coalescence
за авторством: V. P. Djadin, та інші
Опубліковано: (2009)

Correction of errors of the measuring channel average active power
за авторством: D. P. Ornatskyi, та інші
Опубліковано: (2022)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

Kinetics of current formation in molecular diode
за авторством: E. G. Petrov, та інші
Опубліковано: (2012)

The prospects and limitations of credit channel activization of money supply in the economy of Ukraine
за авторством: Yu. I. Shapoval
Опубліковано: (2015)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

On oscillations in the premodulation diode of the vircator
за авторством: Melezhik, O.G., та інші
Опубліковано: (2015)

Microsecond microwave generation in the diode and accompanying phenomena
за авторством: Yuferov, V.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

Activation spectroscopy of electronically induced defects in solid Ne
за авторством: Grigorashchenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Acoustic emission of semiconductors and diode structures (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Break-down of the magnetically insulated diode
за авторством: Zagrebelnyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)