Ковбаса, С., Вербовий, Ю., & Коломійчук , Є. (2025). ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ. Інститут електродинаміки НАН України, Київ. https://doi.org/10.15407/techned2025.05.026
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Ковбаса, С.М, Ю.В Вербовий, und Є.В Коломійчук. ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ. Інститут електродинаміки НАН України, Київ, 2025. https://doi.org/10.15407/techned2025.05.026.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Ковбаса, С.М, et al. ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ. Інститут електродинаміки НАН України, Київ, 2025. https://doi.org/10.15407/techned2025.05.026.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.