Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe

• Дата: 2019
• Автори: Degoda, V. Ya., Alizadeh, M.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: charge carrier traps; recombination centers; localization centers; delocalization centers; zinc selenide; -; пастки для носiїв заряду; центри рекомбiнацiї; центри локалiзацiї; центри делокалiзацiї; селенiд цинку
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/103
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Taking zinc selenide (ZnSe) crystals as an example, a procedure of determination of the main parameters of traps is proposed. At first, the conductivity type (electron or hole one) in a crystal of phosphor at its excitation is determined with the help of photoelectric studies or studies of the therm...