2025-02-23T00:48:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-108%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:48:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-108%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:48:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T00:48:05-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)

Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)

Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole lay...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Strikha, M. V., Kurchak, A. I., Morozovska, A. N.
Format: Article
Language:English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2018
Subjects:
графен-на-сегнетоелектрику
доменна структура
провідність
польовий транзистор
graphene-on-ferroelectric
domain structure
conductance
field effect transistor
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108

Similar Items