Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)

• Дата: 2018
• Автори: Strikha, M. V., Kurchak, A. I., Morozovska, A. N.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: графен-на-сегнетоелектрику; доменна структура; провідність; польовий транзистор; graphene-on-ferroelectric; domain structure; conductance; field effect transistor
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole lay...