Структурні властивості InGaPN на GaAs (001), узгоджені за параметром ґратки
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001) have comprehensively investigated by high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectroscopy, and atomic force microscopy (AFM). The InGaPN layers were grown by metal organics vapor phase epitaxy (MOVPE). To obtain the lattice-match...
Збережено в:
Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
---|---|
Дата: | 2018 |
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/110 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|