Структурні властивості InGaPN на GaAs (001), узгоджені за параметром ґратки
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001) have comprehensively investigated by high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectroscopy, and atomic force microscopy (AFM). The InGaPN layers were grown by metal organics vapor phase epitaxy (MOVPE). To obtain the lattice-match...
Збережено в:
Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
---|---|
Дата: | 2018 |
Автори: | Sritonwong, P., Sanorpim, S., Onabe, K. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/110 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018) -
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018) -
Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018) -
MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020) -
Самоасоційовані атомні групи в розплавах Ga–Sn
за авторством: Bilyk, R., та інші
Опубліковано: (2021)