Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
A simple theoretical model of electron heating in a system with two valleys is applied for the first time to describe 2D semiconductor monolayers of the MoS2 and WS2 types. The model is demonstrated to describe sufficiently well the available experimental data on the negative differential conductanc...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська Українська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131140949278720 |
|---|---|
| author | Lytovchenko, V. G. Kurchak, A. I. Strikha, M. V. |
| author_facet | Lytovchenko, V. G. Kurchak, A. I. Strikha, M. V. |
| author_sort | Lytovchenko, V. G. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2018-08-23T10:43:20Z |
| description | A simple theoretical model of electron heating in a system with two valleys is applied for the first time to describe 2D semiconductor monolayers of the MoS2 and WS2 types. The model is demonstrated to describe sufficiently well the available experimental data on the negative differential conductance effect in a WS2 monolayer. It confirms a possibility to fabricate Gunn diodes of a new generation based on the structures concerned. Such diodes are capable of generating frequencies of an order of 10 GHz and higher, which makes them attractive for many practical applications. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe63.6.527 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:13:59Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018135 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:13:59Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20181352018-08-23T10:43:20Z Theoretical Model for Negative Differential Conductance in 2D Semiconductor Monolayers Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах Lytovchenko, V. G. Kurchak, A. I. Strikha, M. V. ефект Ганна 538.9 differential conductance semiconductor monolayers of the MoS2 andWS2 types A simple theoretical model of electron heating in a system with two valleys is applied for the first time to describe 2D semiconductor monolayers of the MoS2 and WS2 types. The model is demonstrated to describe sufficiently well the available experimental data on the negative differential conductance effect in a WS2 monolayer. It confirms a possibility to fabricate Gunn diodes of a new generation based on the structures concerned. Such diodes are capable of generating frequencies of an order of 10 GHz and higher, which makes them attractive for many practical applications. Вперше адаптовано для 2D напiвпровiдникових моношарiв типу MoS2 та WS2 просту теоретичну модель розiгрiву електронiв у системi з двома долинами. Показано, що така модель добре описує наявнi експериментальнi данi щодо ефекту негативної диференцiальної провiдностi в моношарi WS2 й пiдтверджує можливiсть створення на таких структурах нового поколiння дiодiв Ганна. Частоти, якi може бути отримано на таких дiодах, становлять порядку 10 ГГц i вище, що робить такi дiоди потенцiйнопривабливими для низки практичних застосувань. Publishing house "Academperiodika" 2018-07-12 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135 10.15407/ujpe63.6.527 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 6 (2018); 527 Український фізичний журнал; Том 63 № 6 (2018); 527 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe63.6 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135/109 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135/110 |
| spellingShingle | ефект Ганна 538.9 Lytovchenko, V. G. Kurchak, A. I. Strikha, M. V. Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах |
| title | Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах |
| title_alt | Theoretical Model for Negative Differential Conductance in 2D Semiconductor Monolayers |
| title_full | Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах |
| title_fullStr | Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах |
| title_full_unstemmed | Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах |
| title_short | Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах |
| title_sort | теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2d напівпровідникових моношарах |
| topic | ефект Ганна 538.9 |
| topic_facet | ефект Ганна 538.9 differential conductance semiconductor monolayers of the MoS2 andWS2 types |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135 |
| work_keys_str_mv | AT lytovchenkovg theoreticalmodelfornegativedifferentialconductancein2dsemiconductormonolayers AT kurchakai theoreticalmodelfornegativedifferentialconductancein2dsemiconductormonolayers AT strikhamv theoreticalmodelfornegativedifferentialconductancein2dsemiconductormonolayers AT lytovchenkovg teoretičnamodelʹdlâefektunegativnoídiferencíalʹnoíprovídnostíu2dnapívprovídnikovihmonošarah AT kurchakai teoretičnamodelʹdlâefektunegativnoídiferencíalʹnoíprovídnostíu2dnapívprovídnikovihmonošarah AT strikhamv teoretičnamodelʹdlâefektunegativnoídiferencíalʹnoíprovídnostíu2dnapívprovídnikovihmonošarah |