Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах

Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах

A simple theoretical model of electron heating in a system with two valleys is applied for the first time to describe 2D semiconductor monolayers of the MoS2 and WS2 types. The model is demonstrated to describe sufficiently well the available experimental data on the negative differential conductanc...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Lytovchenko, V. G., Kurchak, A. I., Strikha, M. V.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:
ефект Ганна
538.9
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018135
record_format ojs
spelling ujp2-article-20181352018-08-23T10:43:20Z Theoretical Model for Negative Differential Conductance in 2D Semiconductor Monolayers Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах Lytovchenko, V. G. Kurchak, A. I. Strikha, M. V. ефект Ганна 538.9 differential conductance semiconductor monolayers of the MoS2 andWS2 types A simple theoretical model of electron heating in a system with two valleys is applied for the first time to describe 2D semiconductor monolayers of the MoS2 and WS2 types. The model is demonstrated to describe sufficiently well the available experimental data on the negative differential conductance effect in a WS2 monolayer. It confirms a possibility to fabricate Gunn diodes of a new generation based on the structures concerned. Such diodes are capable of generating frequencies of an order of 10 GHz and higher, which makes them attractive for many practical applications. Вперше адаптовано для 2D напiвпровiдникових моношарiв типу MoS2 та WS2 просту теоретичну модель розiгрiву електронiв у системi з двома долинами. Показано, що така модель добре описує наявнi експериментальнi данi щодо ефекту негативної диференцiальної провiдностi в моношарi WS2 й пiдтверджує можливiсть створення на таких структурах нового поколiння дiодiв Ганна. Частоти, якi може бути отримано на таких дiодах, становлять порядку 10 ГГц i вище, що робить такi дiоди потенцiйнопривабливими для низки практичних застосувань. Publishing house "Academperiodika" 2018-07-12 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135 10.15407/ujpe63.6.527 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 6 (2018); 527 Український фізичний журнал; Том 63 № 6 (2018); 527 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe63.6 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135/109 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135/110
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2018-08-23T10:43:20Z
collection OJS
language English
Ukrainian
topic ефект Ганна
538.9
spellingShingle ефект Ганна
538.9
Lytovchenko, V. G.
Kurchak, A. I.
Strikha, M. V.
Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
topic_facet ефект Ганна
538.9
differential conductance
semiconductor monolayers of the MoS2 andWS2 types
format Article
author Lytovchenko, V. G.
Kurchak, A. I.
Strikha, M. V.
author_facet Lytovchenko, V. G.
Kurchak, A. I.
Strikha, M. V.
author_sort Lytovchenko, V. G.
title Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
title_short Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
title_full Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
title_fullStr Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
title_full_unstemmed Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
title_sort теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2d напівпровідникових моношарах
title_alt Theoretical Model for Negative Differential Conductance in 2D Semiconductor Monolayers
description A simple theoretical model of electron heating in a system with two valleys is applied for the first time to describe 2D semiconductor monolayers of the MoS2 and WS2 types. The model is demonstrated to describe sufficiently well the available experimental data on the negative differential conductance effect in a WS2 monolayer. It confirms a possibility to fabricate Gunn diodes of a new generation based on the structures concerned. Such diodes are capable of generating frequencies of an order of 10 GHz and higher, which makes them attractive for many practical applications.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018135
work_keys_str_mv AT lytovchenkovg theoreticalmodelfornegativedifferentialconductancein2dsemiconductormonolayers
AT kurchakai theoreticalmodelfornegativedifferentialconductancein2dsemiconductormonolayers
AT strikhamv theoreticalmodelfornegativedifferentialconductancein2dsemiconductormonolayers
AT lytovchenkovg teoretičnamodelʹdlâefektunegativnoídiferencíalʹnoíprovídnostíu2dnapívprovídnikovihmonošarah
AT kurchakai teoretičnamodelʹdlâefektunegativnoídiferencíalʹnoíprovídnostíu2dnapívprovídnikovihmonošarah
AT strikhamv teoretičnamodelʹdlâefektunegativnoídiferencíalʹnoíprovídnostíu2dnapívprovídnikovihmonošarah
first_indexed 2025-10-02T01:13:59Z
last_indexed 2025-10-02T01:13:59Z
_version_ 1851765040016785408

Схожі ресурси