Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу темп...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018146 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20181462019-02-27T07:43:37Z Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe Electrical Properties of Sis Heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe Orletskyi, I. G. Ilashchuk, M. I. Maistruk, E. V. Solovan, M. M. Maryanchuk, P. D. Nichyi, S. V. тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма дiелектричний шар - thin film spray-pyrolysis heterostructure energy diagram dielectric layer - Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу температурних залежностей ВАХ встановлена динамiка змiни енергетичних параметрiв гетероструктури та з’ясована роль енергетичних станiв на межi CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe при формуваннi прямого та зворотного струмiв. На основi C–V -характеристик дослiдженi процеси акумуляцiї та iнверсiї в НДН структурi. Запропонована модель енергетичної дiаграми гетероструктури, яка добре описує експериментальнi електрофiзичнi явища. Conditions for the production of rectifying semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe with the use of the spray-pyrolysis of SnS2 thin films on p-Cd1−xZnxTe crystalline substrates with the formation of an intermediate tunnel-thin CdTeO3 oxide layer have been studied. By analyzing the temperature dependences of the current-voltage characteristics, the dynamics of the heterostructure energy parameters is determined, and the role of energy states at the CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe interface in the formation of forward and reverse currents is elucidated. By analyzing the capacity-voltage characteristics, the processes of charge accumulation and inversion in SIS structures is considered. An energy diagram of the examined heterostructure, which well describes experimental electro-physical phenomena, is proposed. Publishing house "Academperiodika" 2019-02-21 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146 10.15407/ujpe64.2.164 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 2 (2019); 164 Український фізичний журнал; Том 64 № 2 (2019); 164 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe64.2 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146/1336 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146/1337 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма дiелектричний шар - thin film spray-pyrolysis heterostructure energy diagram dielectric layer - |
| spellingShingle |
тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма дiелектричний шар - thin film spray-pyrolysis heterostructure energy diagram dielectric layer - Orletskyi, I. G. Ilashchuk, M. I. Maistruk, E. V. Solovan, M. M. Maryanchuk, P. D. Nichyi, S. V. Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe |
| topic_facet |
тонка плiвка спрей-пiролiз гетероструктура енергетична дiаграма дiелектричний шар - thin film spray-pyrolysis heterostructure energy diagram dielectric layer - |
| format |
Article |
| author |
Orletskyi, I. G. Ilashchuk, M. I. Maistruk, E. V. Solovan, M. M. Maryanchuk, P. D. Nichyi, S. V. |
| author_facet |
Orletskyi, I. G. Ilashchuk, M. I. Maistruk, E. V. Solovan, M. M. Maryanchuk, P. D. Nichyi, S. V. |
| author_sort |
Orletskyi, I. G. |
| title |
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe |
| title_short |
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe |
| title_full |
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe |
| title_fullStr |
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe |
| title_full_unstemmed |
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe |
| title_sort |
електричні властивості ндн-гетероструктур n-sns2/cdteo3/p-cdznte |
| title_alt |
Electrical Properties of Sis Heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe |
| description |
Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу температурних залежностей ВАХ встановлена динамiка змiни енергетичних параметрiв гетероструктури та з’ясована роль енергетичних станiв на межi CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe при формуваннi прямого та зворотного струмiв. На основi C–V -характеристик дослiдженi процеси акумуляцiї та iнверсiї в НДН структурi. Запропонована модель енергетичної дiаграми гетероструктури, яка добре описує експериментальнi електрофiзичнi явища. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146 |
| work_keys_str_mv |
AT orletskyiig električnívlastivostíndngeterostrukturnsns2cdteo3pcdznte AT ilashchukmi električnívlastivostíndngeterostrukturnsns2cdteo3pcdznte AT maistrukev električnívlastivostíndngeterostrukturnsns2cdteo3pcdznte AT solovanmm električnívlastivostíndngeterostrukturnsns2cdteo3pcdznte AT maryanchukpd električnívlastivostíndngeterostrukturnsns2cdteo3pcdznte AT nichyisv električnívlastivostíndngeterostrukturnsns2cdteo3pcdznte AT orletskyiig electricalpropertiesofsisheterostructuresnsns2cdteo3pcdznte AT ilashchukmi electricalpropertiesofsisheterostructuresnsns2cdteo3pcdznte AT maistrukev electricalpropertiesofsisheterostructuresnsns2cdteo3pcdznte AT solovanmm electricalpropertiesofsisheterostructuresnsns2cdteo3pcdznte AT maryanchukpd electricalpropertiesofsisheterostructuresnsns2cdteo3pcdznte AT nichyisv electricalpropertiesofsisheterostructuresnsns2cdteo3pcdznte |
| first_indexed |
2023-03-24T08:54:57Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:54:57Z |
| _version_ |
1795757596974514176 |