Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe

Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу темп...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2019
Main Authors: Orletskyi, I. G., Ilashchuk, M. I., Maistruk, E. V., Solovan, M. M., Maryanchuk, P. D., Nichyi, S. V.
Format: Article
Language:English
Ukrainian
Published: Publishing house "Academperiodika" 2019
Subjects:
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics