Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe

• Дата: 2019
• Автори: Orletskyi, I. G., Ilashchuk, M. I., Maistruk, E. V., Solovan, M. M., Maryanchuk, P. D., Nichyi, S. V.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: тонка плiвка; спрей-пiролiз; гетероструктура; енергетична дiаграма; дiелектричний шар; -; thin film; spray-pyrolysis; heterostructure; energy diagram; dielectric layer
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу темп...