Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу темп...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018146 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |