Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках
We propose to use methods involving a deformation for the determination of deep-level parameters in semiconductors. The methods are based on the measurement of strain parameters of compensated and overcompensated semiconductors. The dynamic changes of the current flow in compensated and overcompensa...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018241 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018241 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20182412019-05-01T08:54:54Z Investigations of the Deep-Level Parameters in Semiconductors Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках Tursunov, I. G. деформація домішки деформаційний опір гідростатичний тиск deformation impurities strain resistance hydrostatic pressure We propose to use methods involving a deformation for the determination of deep-level parameters in semiconductors. The methods are based on the measurement of strain parameters of compensated and overcompensated semiconductors. The dynamic changes of the current flow in compensated and overcompensated samples of the p-type Si : Ni and n-type Si : Mn under a uniform pulse hydrostatic compression (UHC) are investigated. It is observed that, in the p-type Si : Ni samples the, ionization energy level of Ni increases at UHC. On the contrary, it decreases in samples of the n-type Si : Mn. The ionization energy and the baric coefficient of shift of Ni and Mn levels are bounded. У роботi пропонуються методи деформацiї для дослiдження параметрiв глибокого рiвня в напiвпровiдниках. Вiн базується на вимiрах параметрiв деформацiї компенсованих i надкомпенсованих напiвпровiдникiв. Дослiджено динамiчнi змiни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках p-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорiдному iмпульсному гiдростатичному стискуваннi (ОГC). Встановлено, що в p-типу Si : Ni зразках енергiя iонiзацiї Ni при ОГC збiльшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергiя iонiзацiї та баричний коефiцiєнт зсуву рiвнiв Ni i Mn були обмеженими. Publishing house "Academperiodika" 2018-09-18 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018241 10.15407/ujpe62.12.1041 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 12 (2017); 1041 Український фізичний журнал; Том 62 № 12 (2017); 1041 2071-0194 2071-0186 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018241/159 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
деформація домішки деформаційний опір гідростатичний тиск deformation impurities strain resistance hydrostatic pressure |
| spellingShingle |
деформація домішки деформаційний опір гідростатичний тиск deformation impurities strain resistance hydrostatic pressure Tursunov, I. G. Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках |
| topic_facet |
деформація домішки деформаційний опір гідростатичний тиск deformation impurities strain resistance hydrostatic pressure |
| format |
Article |
| author |
Tursunov, I. G. |
| author_facet |
Tursunov, I. G. |
| author_sort |
Tursunov, I. G. |
| title |
Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках |
| title_short |
Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках |
| title_full |
Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках |
| title_fullStr |
Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках |
| title_full_unstemmed |
Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках |
| title_sort |
дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках |
| title_alt |
Investigations of the Deep-Level Parameters in Semiconductors |
| description |
We propose to use methods involving a deformation for the determination of deep-level parameters in semiconductors. The methods are based on the measurement of strain parameters of compensated and overcompensated semiconductors. The dynamic changes of the current flow in compensated and overcompensated samples of the p-type Si : Ni and n-type Si : Mn under a uniform pulse hydrostatic compression (UHC) are investigated. It is observed that, in the p-type Si : Ni samples the, ionization energy level of Ni increases at UHC. On the contrary, it decreases in samples of the n-type Si : Mn. The ionization energy and the baric coefficient of shift of Ni and Mn levels are bounded. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018241 |
| work_keys_str_mv |
AT tursunovig investigationsofthedeeplevelparametersinsemiconductors AT tursunovig doslídžennâparametrívglibokogorívnâvnapívprovídnikah |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:06Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:06Z |
| _version_ |
1795757601470808064 |