Дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках
We propose to use methods involving a deformation for the determination of deep-level parameters in semiconductors. The methods are based on the measurement of strain parameters of compensated and overcompensated semiconductors. The dynamic changes of the current flow in compensated and overcompensa...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Tursunov, I. G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018241 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Вплив поверхневих явищ на стійкість стінок свердловини
von: Коцкулич, Я. С., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
von: Vikulin, I. M., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
ДЕЯКІ ОСОБЛИВОСТІ РУЙНУВАННЯ ГІРСЬКОГО МАСИВУ НА ВИБОЇ СВЕРДЛОВИНИ
von: Пащенко, О. А., et al.
Veröffentlicht: (2022) -
ЕЛЕКТРОРЕЗИСТИВНІ ВЛАСТИВОСТІ ГРАФІТУ ПІД ДІЄЮ ВИСОКИХ ТИСКІВ ТА ВИСОКИХ ТЕМПЕРАТУР
von: Савіцький, О. В., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ПОРОШКІВ АЛМАЗУ
von: Бочечка, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2020)