Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
Forward and reverse current-voltage characteristics of Mo/n-Si Schottky barrier structures have been studied experimentally in the temperature range 130-330 K. The Schottky barrier height is found to increase and the ideality factor to decrease, as the temperature grows. The obtained results are ana...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131159906484224 |
|---|---|
| author | Olikh, O. Ya. |
| author_facet | Olikh, O. Ya. |
| author_sort | Olikh, O. Ya. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-03-05T08:17:32Z |
| description | Forward and reverse current-voltage characteristics of Mo/n-Si Schottky barrier structures have been studied experimentally in the temperature range 130-330 K. The Schottky barrier height is found to increase and the ideality factor to decrease, as the temperature grows. The obtained results are analyzed in the framework of a non-uniform contact model. The average value and the standard deviation of a Schottky barrier height are determined to be 0.872 and 0.099 V, respectively, at T = 130220 K and 0.656 and 0.036 V, respectively, at T = 230330 K. Thermionic emission over the non-uniform barrier and tunneling are shown to be the dominant processes of charge transfer at a reverse bias voltage. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe58.02.0126 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:14:15Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2018276 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:14:15Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20182762019-03-05T08:17:32Z Features of Charge Transport in Mo/n-Si Structures with a Schottky Barrier Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки Olikh, O. Ya. inhomogeneous Schottky barrier thermionic emission silicon Forward and reverse current-voltage characteristics of Mo/n-Si Schottky barrier structures have been studied experimentally in the temperature range 130-330 K. The Schottky barrier height is found to increase and the ideality factor to decrease, as the temperature grows. The obtained results are analyzed in the framework of a non-uniform contact model. The average value and the standard deviation of a Schottky barrier height are determined to be 0.872 and 0.099 V, respectively, at T = 130220 K and 0.656 and 0.036 V, respectively, at T = 230330 K. Thermionic emission over the non-uniform barrier and tunneling are shown to be the dominant processes of charge transfer at a reverse bias voltage. У роботi експериментально дослiджено прямi та зворотнi вольт-ампернi характеристики структурMo/n-Si з бар’єром Шотки в дiапазонi температур 130–330 К. Виявлено, що при пiдвищеннi температури має мiсце збiльшення висоти бар’єра Шотки та зменшення фактора неiдеальностi. Проведено аналiз отриманих результатiв у рамках моделi неоднорiдного контакту. Визначено середнє значення та стандартне вiдхилення висоти бар’єра Шотки: 0,872 В та 0,099 В при T = 130–220 К i 0,656 В та 0,036 В при T = 230–330 К вiдповiдно. Показано, що при зворотному змiщеннi основними процесами перенесення заряду є термоелектронна емiсiя через неоднорiдний бар’єр та тунелювання. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-05 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276 10.15407/ujpe58.02.0126 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 2 (2013); 126 Український фізичний журнал; Том 58 № 2 (2013); 126 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276/198 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | Olikh, O. Ya. Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки |
| title | Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки |
| title_alt | Features of Charge Transport in Mo/n-Si Structures with a Schottky Barrier |
| title_full | Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки |
| title_fullStr | Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки |
| title_full_unstemmed | Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки |
| title_short | Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки |
| title_sort | особливостi перенесення заряду в структурах mo/n-si з бар’єром шотки |
| topic_facet | inhomogeneous Schottky barrier thermionic emission silicon |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276 |
| work_keys_str_mv | AT olikhoya featuresofchargetransportinmonsistructureswithaschottkybarrier AT olikhoya osoblivostiperenesennâzarâduvstrukturahmonsizbarêromšotki |