Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки

Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки

Forward and reverse current-voltage characteristics of Mo/n-Si Schottky barrier structures have been studied experimentally in the temperature range 130-330 K. The Schottky barrier height is found to increase and the ideality factor to decrease, as the temperature grows. The obtained results are ana...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2018
1. Verfasser: Olikh, O. Ya.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2018
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018276
record_format ojs
spelling ujp2-article-20182762019-03-05T08:17:32Z Features of Charge Transport in Mo/n-Si Structures with a Schottky Barrier Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки Olikh, O. Ya. inhomogeneous Schottky barrier thermionic emission silicon Forward and reverse current-voltage characteristics of Mo/n-Si Schottky barrier structures have been studied experimentally in the temperature range 130-330 K. The Schottky barrier height is found to increase and the ideality factor to decrease, as the temperature grows. The obtained results are analyzed in the framework of a non-uniform contact model. The average value and the standard deviation of a Schottky barrier height are determined to be 0.872 and 0.099 V, respectively, at T = 130220 K and 0.656 and 0.036 V, respectively, at T = 230330 K. Thermionic emission over the non-uniform barrier and tunneling are shown to be the dominant processes of charge transfer at a reverse bias voltage. У роботi експериментально дослiджено прямi та зворотнi вольт-ампернi характеристики структурMo/n-Si з бар’єром Шотки в дiапазонi температур 130–330 К. Виявлено, що при пiдвищеннi температури має мiсце збiльшення висоти бар’єра Шотки та зменшення фактора неiдеальностi. Проведено аналiз отриманих результатiв у рамках моделi неоднорiдного контакту. Визначено середнє значення та стандартне вiдхилення висоти бар’єра Шотки: 0,872 В та 0,099 В при T = 130–220 К i 0,656 В та 0,036 В при T = 230–330 К вiдповiдно. Показано, що при зворотному змiщеннi основними процесами перенесення заряду є термоелектронна емiсiя через неоднорiдний бар’єр та тунелювання. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-05 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276 10.15407/ujpe58.02.0126 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 2 (2013); 126 Український фізичний журнал; Том 58 № 2 (2013); 126 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276/198 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2019-03-05T08:17:32Z
collection OJS
language English
topic_facet inhomogeneous Schottky barrier
thermionic emission
silicon
format Article
author Olikh, O. Ya.
spellingShingle Olikh, O. Ya.
Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
author_facet Olikh, O. Ya.
author_sort Olikh, O. Ya.
title Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
title_short Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
title_full Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
title_fullStr Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
title_full_unstemmed Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
title_sort особливостi перенесення заряду в структурах mo/n-si з бар’єром шотки
title_alt Features of Charge Transport in Mo/n-Si Structures with a Schottky Barrier
description Forward and reverse current-voltage characteristics of Mo/n-Si Schottky barrier structures have been studied experimentally in the temperature range 130-330 K. The Schottky barrier height is found to increase and the ideality factor to decrease, as the temperature grows. The obtained results are analyzed in the framework of a non-uniform contact model. The average value and the standard deviation of a Schottky barrier height are determined to be 0.872 and 0.099 V, respectively, at T = 130220 K and 0.656 and 0.036 V, respectively, at T = 230330 K. Thermionic emission over the non-uniform barrier and tunneling are shown to be the dominant processes of charge transfer at a reverse bias voltage.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276
work_keys_str_mv AT olikhoya featuresofchargetransportinmonsistructureswithaschottkybarrier
AT olikhoya osoblivostiperenesennâzarâduvstrukturahmonsizbarêromšotki
first_indexed 2025-10-02T01:14:15Z
last_indexed 2025-10-02T01:14:15Z
_version_ 1851765056696483840

Ähnliche Einträge