Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
Forward and reverse current-voltage characteristics of Mo/n-Si Schottky barrier structures have been studied experimentally in the temperature range 130-330 K. The Schottky barrier height is found to increase and the ideality factor to decrease, as the temperature grows. The obtained results are ana...
Збережено в:
| Видавець: | Publishing house "Academperiodika" |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018276 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|