Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром
Spectral dependences of the small-signal surface photovoltage, Vf (л), with a region of short- wave recession have been studied experimentally and theoretically. The dependences Vf (л) are shown to enable important information concerning a modification of surface and bulk recombination properties of...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018278 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018278 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20182782019-03-05T08:29:57Z Recombination Characteristics of Single-Crystalline Silicon Wafers with a Damaged Near-Surface Layer Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Litovchenko, V. G. Popov, V. G. Romanyuk, B. M. Chernenko, V. V. Naseka, V. M. Slusar, T. V. Kyrylova, S. I. Komarov, F. F. surface photovoltage surface recombination silicon Spectral dependences of the small-signal surface photovoltage, Vf (л), with a region of short- wave recession have been studied experimentally and theoretically. The dependences Vf (л) are shown to enable important information concerning a modification of surface and bulk recombination properties of the photosensitive silicon material in the short-wave spectral range to be obtained experimentally with the use of a nondestructive technique. In particular, theformation of a damaged near-surface layer owing to the Fe implantation is found to bring about a significant decrease in the diffusion length (i.e. the lifetime) in the implanted layer and an increase of the effective surface recombination rate on the illuminated surface. Експериментально та теоретично дослiджено спектральнi залежностi малосигнальної конденсаторної фото-ерс Vf (л) з дiлянкою короткохвильового спаду. Показано, що в короткохвильовiй областi спектра залежностi Vf (л) дозволяють отримати з використанням експериментально неруйнiвного методу важливу iнформацiю про змiну рекомбiнацiйних властивостей поверхнi та об’єму фоточутливого кремнiєвого матерiалу. Встановлено, зокрема, що створення порушеного приповерхневого шару за рахунок iмплантацiї залiза приводить як до сильного зменшення об’ємної довжини дифузiї (тобто часу життя) в iмплантованому шарi, так i до зростання ефективної швидкостi поверхневої рекомбiнацiї на освiтлюванiй поверхнi. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-05 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018278 10.15407/ujpe58.02.0142 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 2 (2013); 142 Український фізичний журнал; Том 58 № 2 (2013); 142 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018278/200 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
surface photovoltage surface recombination silicon |
| spellingShingle |
surface photovoltage surface recombination silicon Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Litovchenko, V. G. Popov, V. G. Romanyuk, B. M. Chernenko, V. V. Naseka, V. M. Slusar, T. V. Kyrylova, S. I. Komarov, F. F. Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром |
| topic_facet |
surface photovoltage surface recombination silicon |
| format |
Article |
| author |
Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Litovchenko, V. G. Popov, V. G. Romanyuk, B. M. Chernenko, V. V. Naseka, V. M. Slusar, T. V. Kyrylova, S. I. Komarov, F. F. |
| author_facet |
Sachenko, A. V. Kostylyov, V. P. Litovchenko, V. G. Popov, V. G. Romanyuk, B. M. Chernenko, V. V. Naseka, V. M. Slusar, T. V. Kyrylova, S. I. Komarov, F. F. |
| author_sort |
Sachenko, A. V. |
| title |
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром |
| title_short |
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром |
| title_full |
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром |
| title_fullStr |
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром |
| title_full_unstemmed |
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром |
| title_sort |
рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром |
| title_alt |
Recombination Characteristics of Single-Crystalline Silicon Wafers with a Damaged Near-Surface Layer |
| description |
Spectral dependences of the small-signal surface photovoltage, Vf (л), with a region of short- wave recession have been studied experimentally and theoretically. The dependences Vf (л) are shown to enable important information concerning a modification of surface and bulk recombination properties of the photosensitive silicon material in the short-wave spectral range to be obtained experimentally with the use of a nondestructive technique. In particular, theformation of a damaged near-surface layer owing to the Fe implantation is found to bring about a significant decrease in the diffusion length (i.e. the lifetime) in the implanted layer and an increase of the effective surface recombination rate on the illuminated surface. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018278 |
| work_keys_str_mv |
AT sachenkoav recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT kostylyovvp recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT litovchenkovg recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT popovvg recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT romanyukbm recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT chernenkovv recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT nasekavm recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT slusartv recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT kyrylovasi recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT komarovff recombinationcharacteristicsofsinglecrystallinesiliconwaferswithadamagednearsurfacelayer AT sachenkoav rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT kostylyovvp rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT litovchenkovg rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT popovvg rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT romanyukbm rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT chernenkovv rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT nasekavm rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT slusartv rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT kyrylovasi rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom AT komarovff rekombinacijniharakteristikiplastinmonokristaličnogokremniûzpripoverhnevimporušenimšarom |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:12Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:12Z |
| _version_ |
1795757604262117376 |