Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi

• Дата: 2018
• Автор: Kras’ko, M. M.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
• Теми: кремнiй; електронне опромiнення; iзовалентна домiшка олова; silicon; electron irradiation; tin-vacancy complex
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018289
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The influence of an isovalent tin impurity on the electron concentration in Cz n-Si irradiated with 1-MeV electrons has been studied both experimentally and theoretically. It is found that the Sn impurity leads to the acceleration of the conductivity degradation in electron-irradiated nSi. The effec...