Стиль цитування APA (7-ме видання)

Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., & Strilchuk, O. M. (2018). Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах. Publishing house "Academperiodika&quot. https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Litovchenko, N. M., D. V. Korbutyak, та O. M. Strilchuk. Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах. Publishing house "Academperiodika&quot, 2018. https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Litovchenko, N. M., et al. Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах. Publishing house "Academperiodika&quot, 2018. https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260.

Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.