Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experiment...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., Strilchuk, O. M.
Формат:	Стаття
Мова:	English Ukrainian
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:	фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон photoluminescence quantum well exciton phonon
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Квантово-розмiрний ефект та перколяцiя екситонiв у поруватих i неупорядкованих плiвках на основi сферичних елементiв типу “ядро/оболонка”
за авторством: Bondar, N. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Стаціонарна спектроскопія та субнаносекундний резонансний перенос енергії екситонного збудження водних розчинів та плівок нанокристалів ZnSe
за авторством: Bondar, N.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Хартрi–фокiвська задача електронно-дiркової пари в квантовiй ямi GaN
за авторством: Lokot, L. E.
Опубліковано: (2018)

Особливості процесів збудження фотолюмінесценції у кераміці оксиду цинку, легованої елементами І групи
за авторством: Korsunska, N., та інші
Опубліковано: (2022)

Випромінювання у ближньому та середньому інфрачервоному діапазоні стекол Ga2S3–GeS2–Sb2S3: Er, Nd
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2025)

Кiнетична модель просторового розподiлу електронних збуджень в рiдинних люмiнофорах
за авторством: Degoda, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив взаємного просторового положення металевої наночастинки та LH2 комплексу фотосинтетичних бактерiй на оптичнi властивостi гiбридної свiтлозбиральної структури
за авторством: Vertsimakha, G. V.
Опубліковано: (2018)

Вкриті глутатіоном чотирикомпонентні квантові точки Ag–(In,Ga)–S, отримані колоїдним синтезом у водних розчинах
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024)

Перколяцiйнi пороги та люмiнесценцiя плiвок на основi бiнарних сумiшей сферичних частинок, покритих квантовими точками
за авторством: Bondar, N. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Кореляція між фотолюмінесцентними та фотоелектричними властивостями ZnO, легованого Mn
за авторством: Korsunska, N. O., та інші
Опубліковано: (2018)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Дипольно–монопольний перехід та беззарядова напівмода в інтеґровній екситон-фононній нелінійній динамічній системі на регулярній одновимірній ґратці
за авторством: Vakhnenko, O.O.
Опубліковано: (2023)

Структурні й оптичні характеристики розподілених за розміром квантових точок Cu–In–S, вкритих глутатіоном
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2023)

Вплив покриваючого ліганду на величину щілини та енергетичні рівні екситонів колоїдних розчинів та плівок квантових точок ZnSe
за авторством: Bondar, N. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Електричні, оптичні та люмінесцентні властивості монокристалів оксиду цинку
за авторством: Markevich, I. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Особливості переносу енергії електронного збудження в карбазолвмісних полімерах
за авторством: Skryshevski, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Високочастотнi довгохвильовi коливання в iонних кристалах з двома атомами в елементарнiй комiрцi
за авторством: Stupka, A. A.
Опубліковано: (2018)

Оптичні та структурні властивості нанопорошків сполук свинцю, отриманих електролітичним методом
за авторством: Nechyporuk, B.D., та інші
Опубліковано: (2024)

Теоретичне та експериментальне вивчення спектроскопiчних характеристик ароматичних амiнокислот
за авторством: Myhovich, M. I., та інші
Опубліковано: (2018)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Термо-оптичні ефекти в плазмонних металевих наноструктурах
за авторством: Yeshchenko, O.A., та інші
Опубліковано: (2021)

Узагальнений принцип невизначеності та потенціал у вигляді дельта-функції
за авторством: Paramanik, S., та інші
Опубліковано: (2022)

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)