Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experiment...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська Українська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Хартрi–фокiвська задача електронно-дiркової пари в квантовiй ямi GaN
за авторством: Lokot, L. E.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lokot, L. E.
Опубліковано: (2018)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Вкриті глутатіоном чотирикомпонентні квантові точки Ag–(In,Ga)–S, отримані колоїдним синтезом у водних розчинах
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024)
Квантово-розмiрний ефект та перколяцiя екситонiв у поруватих i неупорядкованих плiвках на основi сферичних елементiв типу “ядро/оболонка”
за авторством: Bondar, N. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bondar, N. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)
Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Випромінювання у ближньому та середньому інфрачервоному діапазоні стекол Ga2S3–GeS2–Sb2S3: Er, Nd
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2025)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Високочастотнi довгохвильовi коливання в iонних кристалах з двома атомами в елементарнiй комiрцi
за авторством: Stupka, A. A.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Stupka, A. A.
Опубліковано: (2018)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)
Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Особливості процесів збудження фотолюмінесценції у кераміці оксиду цинку, легованої елементами І групи
за авторством: Korsunska, N., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Korsunska, N., та інші
Опубліковано: (2022)
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и ферромагнитным дельта-слоем Mn
за авторством: Зайцев, С.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Зайцев, С.В.
Опубліковано: (2012)
Оптимізація процесу отримання низьких температур в універсальних рідинно-протічних кріостатах
за авторством: Zharkov, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Zharkov, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Гудина, С.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гудина, С.В., та інші
Опубліковано: (2013)