Buchumschlag

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their corresponding theoretical analysis. The experiment...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., Strilchuk, O. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch Ukrainisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Schlagworte:	фотолюмiнесценцiя квантова яма екситон фонон
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018291
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
von: Kondryuk, D. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
von: Klimovskaya, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
von: Fodchuk, I.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Хартрi–фокiвська задача електронно-дiркової пари в квантовiй ямi GaN
von: Lokot, L. E.
Veröffentlicht: (2018)

Особливості процесів збудження фотолюмінесценції у кераміці оксиду цинку, легованої елементами І групи
von: Korsunska, N., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вкриті глутатіоном чотирикомпонентні квантові точки Ag–(In,Ga)–S, отримані колоїдним синтезом у водних розчинах
von: Azhniuk, Y.M., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Кiнетична модель просторового розподiлу електронних збуджень в рiдинних люмiнофорах
von: Degoda, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Перколяцiйнi пороги та люмiнесценцiя плiвок на основi бiнарних сумiшей сферичних частинок, покритих квантовими точками
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Випромінювання у ближньому та середньому інфрачервоному діапазоні стекол Ga2S3–GeS2–Sb2S3: Er, Nd
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Стаціонарна та розділена в часі фотолюмінесценція наноструктурованих плівок сульфіду олова
von: Gnatenko, Yu.P., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Квантово-розмiрний ефект та перколяцiя екситонiв у поруватих i неупорядкованих плiвках на основi сферичних елементiв типу “ядро/оболонка”
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Кореляція між фотолюмінесцентними та фотоелектричними властивостями ZnO, легованого Mn
von: Korsunska, N. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondriuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Високочастотнi довгохвильовi коливання в iонних кристалах з двома атомами в елементарнiй комiрцi
von: Stupka, A. A.
Veröffentlicht: (2018)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
von: Вакуленко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Структурні й оптичні характеристики розподілених за розміром квантових точок Cu–In–S, вкритих глутатіоном
von: Azhniuk, Y.M., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
von: Korotyeyev, V.V.
Veröffentlicht: (2015)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Про форму кривої та вибір координат при розкладанні спектрів люмінесценції на окремі складові
von: Prokofiev, T.A., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Теоретичне та експериментальне вивчення спектроскопiчних характеристик ароматичних амiнокислот
von: Myhovich, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)