Cover Image

Вимiрювання недiагональних компонент електрооптичного тензора фоторефрактивного кристала Sn2P2S6

The technique of evaluation of the non-diagonal components r42 and r62 of the Pockels tensor for a monoclinic photorefractive crystal is developed and used for Sn2P2S6.

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2018
Main Author:	Volkov, A. Yu.
Format:	Article
Language:	English
Published:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Online Access:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018299
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Similar Items

Проблеми визначення похибки та невизначеності вим1рювання в випробувальній лабораторії
by: Бондаренко, Ю.К., et al.
Published: (2004)

Аналітично-числові підходи до обчислення часової залежності компонент тензора сейсмічного моменту
by: Малицький, Д.В.
Published: (2010)

Бiографiя письменника у компаративному вимiрi
by: Жовтані, Р.
Published: (2007)

Українці забули себе: фiлософсько-аксiологiчний вимiр
by: Мурашкін, М.Г.
Published: (2011)

Перенос похибок та середнiх вимiрiв фiзичної величини для елементарних функцiй x2 та √x
by: Rode, G. G.
Published: (2018)

Спектр та оптична контрастнiсть оксидованого гребiнчатого кремнiєвого фотонного кристала
by: Glushko, E. Ya.
Published: (2018)

Можливiсть вимiру ваги P-станiв основного стану ядра 4He
by: Lyakhno, Yu. P.
Published: (2019)

УНІВЕРСАЛЬНІ ВИМIРЮВАЧІ RLC НА ОСНОВІ УНІФІКОВАНИХ АПАРАТНО-ПРОГРАМНИХ ЗАСОБІВ
by: Василенко , О.Д., et al.
Published: (2012)

Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si
by: Vinichenko, V. A., et al.
Published: (2019)

Об оценках следа усредненного тензора
by: Жиков, В.В.
Published: (1991)

Вимiр азимутального компонента швидкостi пробних падаючих частинок в тлiючому розрядi в магнiтному полi
by: Pavlov, S. I., et al.
Published: (2018)

Особливостi детектування вiдновлювальних газiв сенсорами на основi In2O3 i SnO2 у вологiй атмосферi
by: Golovanova, V. V., et al.
Published: (2018)

Коливні спектри кристала (NH4)2BeF4 у параелектричній фазі
by: Rudysh, M.Ya., et al.
Published: (2025)

Вариации компонент вектора индукции и горизонтального тензора перед землетрясением Тохоку 11 марта 2011 г. по данным японских геомагнитных обсерваторий
by: Рокитянский, И.И., et al.
Published: (2013)

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2
by: D. I. Bletskan, et al.
Published: (2018)

Evaluation of non-diagonal components of the pockels tensor for photorefractive Sn2P2S6 crystal
by: Yu. Volkov
Published: (2013)

Evaluation of non-diagonal components of the pockels tensor for photorefractive Sn2P2S6 crystal
by: Yu. Volkov
Published: (2013)

Перенос похибок та середнiх вимiрiв фiзичної величини для елементарних функцiй cos(x) та arccos(x)
by: Rode, G. G.
Published: (2019)

Математичне моделювання кінетики росту кристала гідроксиапатиту
by: Головань, А.П., et al.
Published: (2010)

Бiодеградуючi пiнополiуретани на основi природно вiдновлювальних компонентiв
by: Савельєв, Ю.В., et al.
Published: (2015)

Орiєнтацiйна нестiйкiсть в комiрцi нематичного рiдкого кристала з вiд’ємною дiелектричною анiзотропiєю в електричному полi
by: Lesiuk, A. I., et al.
Published: (2018)

ОПТОЕЛЕКТРОННИЙ СЕНСОР МОНООКСИДУ ВУГЛЕЦЮ НА ОСНОВІ ХОЛЕСТЕРИЧНОГО РІДКОГО КРИСТАЛА ЛЕГОВАНОГО МАГНЕТИТОМ FE2O3
by: Готра, З. Ю., et al.
Published: (2014)

Josephson p-Contact in the MoRe—Ni2MnGa—I—Pb/Sn Structure
by: E. M. Rudenko, et al.
Published: (2014)

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
by: Bletskan, D.I., et al.
Published: (2018)

Про механiзм впливу газового середовища на електрофiзичнi параметри гетероструктур на основi бар’єра Шотткi з наноструктурованими плiвками складу (95% In2O3 + 5% SnO2)
by: Il'chenko, V. V., et al.
Published: (2019)

Розробка та аналiз одномодового ниткоподiбного фотонного кристала для оптичного зв’язку вiд Е до L смугах з ультрависокою негативною дисперсiєю
by: Islam, M. I., et al.
Published: (2018)

Діелектричні властивості нематичного рідкого кристала, модифікованого алмазними наночастинками
by: Tomylko, S., et al.
Published: (2012)

Current-voltage characteristics of double tunnel contacts Co2CrAl–I–Pb/Sn–I–Pb at spin-polarized tunnel injection
by: E. M. Rudenko, et al.
Published: (2012)

Синтез 2-арилгiдразоно-1-етил-2-(2-R-[1,3]тiазоло[3,2-b][1,2,4]триазол-5-iл)ацетатiв
by: Боднар, В.М., et al.
Published: (2005)

Valence fluctuations in Sn(Pb)2P2S6 ferroelectrics
by: R. Yevych, et al.
Published: (2016)

Модель для dx2−y2 надпровiдностi в сильнокорельованiй фермiоннiй системi
by: Bariakhtar, I., et al.
Published: (2018)

Мiкроструктура тонких композитних плiвок Si–Sn
by: Neimash, V. B., et al.
Published: (2018)

Механизм образования компонент радиоизлучения пульсара за пределами главного импульса. I. Предимпульс
by: Петрова, С.А.
Published: (2008)

Термоелектричнi властивостi легованого вiсмутом станум телуриду SnTe:Bi
by: Freik, D. M., et al.
Published: (2019)

Дослiдження нових особливостей поверхнi Ge(111) зi спiвiснуючими реконструкцiями с(2 × 8) та 2 × 2 методом сканувальної тунельної мiкроскопiї
by: Goriachko, A., et al.
Published: (2019)

Про проблеми фізичної інтерпретації тензора дифузійних напружень і кінетичної енергії дифузії
by: Вирвал, Є.
Published: (2006)

Формування i оптичнi властивостi металiчних наночастинок ag в боратному склi Li2B4O7–Gd2O3–Ag2O
by: Adamiv, V. T., et al.
Published: (2018)

Коливання шару кристала кубічної симетрії під дією гармонічного електричного поля
by: Грицина, О.Р.
Published: (2012)

Електрокерування поверхневими плазмонними коливаннями в гомеотропній комірці нематичного рідкого кристала
by: Yakovkin, I.I., et al.
Published: (2024)

Прояв точкових дефектiв в електроннiй структурi кристалiв Hg3Te2Cl2
by: Bokotey, O. V., et al.
Published: (2019)