Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв
The results of our researches of the influence of exponentially distributed surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells (SCs) are reported. In our calculations, we assumed the acceptor and donor surface states to lie in the upper and lower, r...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018303 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018303 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20183032019-03-05T16:48:36Z Influence of Surface Centers on the Effective Surface Recombination Rate and the Parameters of Silicon Solar Cells Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв Kostylyov, V. P. Sachenko, A. V. Sokolovskyi, I. O. Chernenko, V. V. Slusar, T. V. Sushyi, A. V. система поверхневих центрiв поверхнева рекомбiнацiя кремнiєвi сонячнi елементи influence of surface centers surface recombination silicon solar cells The results of our researches of the influence of exponentially distributed surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells (SCs) are reported. In our calculations, we assumed the acceptor and donor surface states to lie in the upper and lower, respectively, parts of the bandgap. The model also supposed a discrete surface level to exist in the middle of the energy gap. In the case where the integrated concentration of continuously distributed centers is comparable with that of deep surface levels, those centers can affect the SC parameters only due to the recombination. If the concentration of continuously distributed centers is comparable or higher than the concentration characterizing a charge built-in into the insulator, those centers directly affect the surface band bending and the photo- induced electromotive force. With the help of a computer simulation, the conditions for the rate of surface recombination through continuously distributed surface centers to exceed that through the deep discrete level are determined. A decrease of the open-circuit voltage in inverted silicon SCs associated with the recombination through continuously distributed centers is calculated. The obtained theoretical results are compared with the experimental data. В роботi наведено результати дослiдження впливу рекомбiнацiйних експоненцiально розподiлених поверхневих центрiв на процеси поверхневої рекомбiнацiї та на характеристики кремнiєвих сонячних елементiв (СЕ). При розрахунках вважалося, що система акцепторних поверхневих станiв розташована в верхнiй половинi забороненої зони кремнiю, а донорних поверхневих станiв – в нижнiй. Враховувалось також, що бiля середини забороненої зони знаходиться дискретний поверхневий рiвень. Показано, що у випадку, коли iнтегральна концентрацiя неперервно розподiлених центрiв порiвняна з концентрацiєю глибокого поверхневого рiвня, вони впливають на характеристики кремнiєвих СЕ лише завдяки рекомбiнацiї. У другому випадку, коли їх концентрацiя порядку чи бiльша за концентрацiю, яка характеризує вбудований в дiелектрику заряд, вони безпосередньо впливають на величину поверхневого вигину зон та на значення фото-ерс. В результатi комп’ютерного моделювання встановлено умови, за яких швидкiсть рекомбiнацiї через неперервно розподiленi поверхневi центри бiльша за швидкiсть рекомбiнацiї через глибокий дискретний рiвень. Розраховано зменшення напруги розiмкненого кола в кремнiєвих iнверсiйних СЕ, пов’язане з рекомбiнацiєю через неперервно розподiленi центри. Розвинуту теорiю порiвняно з експериментом. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-06 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018303 10.15407/ujpe58.04.0362 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 4 (2013); 362 Український фізичний журнал; Том 58 № 4 (2013); 362 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.04 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018303/240 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018303/241 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-03-05T16:48:36Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
система поверхневих центрiв поверхнева рекомбiнацiя кремнiєвi сонячнi елементи |
| spellingShingle |
система поверхневих центрiв поверхнева рекомбiнацiя кремнiєвi сонячнi елементи Kostylyov, V. P. Sachenko, A. V. Sokolovskyi, I. O. Chernenko, V. V. Slusar, T. V. Sushyi, A. V. Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв |
| topic_facet |
система поверхневих центрiв поверхнева рекомбiнацiя кремнiєвi сонячнi елементи influence of surface centers surface recombination silicon solar cells |
| format |
Article |
| author |
Kostylyov, V. P. Sachenko, A. V. Sokolovskyi, I. O. Chernenko, V. V. Slusar, T. V. Sushyi, A. V. |
| author_facet |
Kostylyov, V. P. Sachenko, A. V. Sokolovskyi, I. O. Chernenko, V. V. Slusar, T. V. Sushyi, A. V. |
| author_sort |
Kostylyov, V. P. |
| title |
Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв |
| title_short |
Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв |
| title_full |
Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв |
| title_fullStr |
Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв |
| title_full_unstemmed |
Вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв |
| title_sort |
вплив системи поверхневих центрiв на ефективну швидкiсть поверхневої рекомбiнацiї та на параметри кремнiєвих сонячних елементiв |
| title_alt |
Influence of Surface Centers on the Effective Surface Recombination Rate and the Parameters of Silicon Solar Cells |
| description |
The results of our researches of the influence of exponentially distributed surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells (SCs) are reported. In our calculations, we assumed the acceptor and donor surface states to lie in the upper and lower, respectively, parts of the bandgap. The model also supposed a discrete surface level to exist in the middle of the energy gap. In the case where the integrated concentration of continuously distributed centers is comparable with that of deep surface levels, those centers can affect the SC parameters only due to the recombination. If the concentration of continuously distributed centers is comparable or higher than the concentration characterizing a charge built-in into the insulator, those centers directly affect the surface band bending and the photo- induced electromotive force. With the help of a computer simulation, the conditions for the rate of surface recombination through continuously distributed surface centers to exceed that through the deep discrete level are determined. A decrease of the open-circuit voltage in inverted silicon SCs associated with the recombination through continuously distributed centers is calculated. The obtained theoretical results are compared with the experimental data. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018303 |
| work_keys_str_mv |
AT kostylyovvp influenceofsurfacecentersontheeffectivesurfacerecombinationrateandtheparametersofsiliconsolarcells AT sachenkoav influenceofsurfacecentersontheeffectivesurfacerecombinationrateandtheparametersofsiliconsolarcells AT sokolovskyiio influenceofsurfacecentersontheeffectivesurfacerecombinationrateandtheparametersofsiliconsolarcells AT chernenkovv influenceofsurfacecentersontheeffectivesurfacerecombinationrateandtheparametersofsiliconsolarcells AT slusartv influenceofsurfacecentersontheeffectivesurfacerecombinationrateandtheparametersofsiliconsolarcells AT sushyiav influenceofsurfacecentersontheeffectivesurfacerecombinationrateandtheparametersofsiliconsolarcells AT kostylyovvp vplivsistemipoverhnevihcentrivnaefektivnušvidkistʹpoverhnevoírekombinaciítanaparametrikremniêvihsonâčnihelementiv AT sachenkoav vplivsistemipoverhnevihcentrivnaefektivnušvidkistʹpoverhnevoírekombinaciítanaparametrikremniêvihsonâčnihelementiv AT sokolovskyiio vplivsistemipoverhnevihcentrivnaefektivnušvidkistʹpoverhnevoírekombinaciítanaparametrikremniêvihsonâčnihelementiv AT chernenkovv vplivsistemipoverhnevihcentrivnaefektivnušvidkistʹpoverhnevoírekombinaciítanaparametrikremniêvihsonâčnihelementiv AT slusartv vplivsistemipoverhnevihcentrivnaefektivnušvidkistʹpoverhnevoírekombinaciítanaparametrikremniêvihsonâčnihelementiv AT sushyiav vplivsistemipoverhnevihcentrivnaefektivnušvidkistʹpoverhnevoírekombinaciítanaparametrikremniêvihsonâčnihelementiv |
| first_indexed |
2025-10-02T01:14:20Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:14:20Z |
| _version_ |
1851765063176683520 |