Buchumschlag

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм

The parameters of film injection photodetectors (FIPDs) created on the basis of solid solutions of A2B6 compounds for a spectral range of 500–650 nm have been studied. The sensitive region of FIPDs is formed as a sandwich from films with different composition contents and different energy gap widths...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Mirsagatov, Sh. A., Zaveryukhin, B. N., Ataboev, O. K., Zaveryukhina, N. N.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch Ukrainisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Schlagworte:	инжекционные фотоприемники фототок барьер Шоттки
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018315
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Cascade injection photodetector for the 500−650-nm spectral range on the basis of solid solutions of A2B6 compounds
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Cascade injection photodetector for the 500−650-nm spectral range on the basis of solid solutions of A2B6 compounds
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Двухспектральный фотоприемник
von: Dobrovol’sky, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Непрерывное поглощение и депрессия в спектре Солнца в области λ = 650...820 нм
von: Ваврух, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Новые измерения солнечного спектра в абсолютных энергетических единицах в спектральной области λλ 650-1070 нм
von: Бурлов-Васильев, К.А., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
von: Vikulin, I. M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Anufriev, L. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
von: Kabatsiy, V. N.
Veröffentlicht: (2010)

ВЕРИФІКАЦІЯ РЕЗУЛЬТАТІВ СПЕКТРАЛЬНОГО АНАЛІЗУ РИТМОКАРДІОГРАМИ
von: Яворська, Є. Б.
Veröffentlicht: (2013)

Верифікація результатів спектрального аналізу ритмокардіограми
von: Яворська, Є.Б.
Veröffentlicht: (2009)

Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм
von: Кругленко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Spectral and flurescent characteristics of laser dyes for 650-800 nm range
von: Maslov, V.V.
Veröffentlicht: (2006)

Дифузійне фазоутворення в нанорозмірних шаруватих плівкових композиціях Pt(15 нм)/Fe(15 нм) і (Pt(7,5 нм)/Fe(7,5 нм))₂ на підкладках SiO₂(100 нм)/Si(001)
von: Макогон, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Названо 500 найкращих ВНЗ у світі
Veröffentlicht: (2011)

Light interconnects for medium-temperature (550...650S) solid oxide fuel cells
von: O. P. Ostash, et al.
Veröffentlicht: (2021)