Конкурентнi механiзми гiстерезису опору в графеновому каналi
A model for rival mechanisms of hysteresis that appears in the dependence of the resistivity of graphene channels created on substrates of various nature on the gate voltage has been developed. Two types of hysteresis were distinguished: direct (associated with the presence of adsorbates with dipole...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | Kurchak, A. I., Morozovska, A. N., Strikha, M. V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English Ukrainian |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018316 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
за авторством: Freik, D. M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Механiзми еволюцiї поверхнi при ростi нелегованих нанокремнiєвих плiвок
за авторством: Nakhodkin, N. G., та інші
Опубліковано: (2019) -
Вплив анiзотропних механiзмiв розсiяння на поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячих електронiв
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018) -
Оптична кубiчна нелiнiйнiсть наноструктур благородних металiв
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2019) -
Анiзотропiя провiдностi двошарового графену при вiдносному змiщеннi його шарiв
за авторством: Litovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)