Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe

The properties of n-CdxHg1 xTe/CdZnTe (x = 0.223) structures implanted with B+ and Ag+ ions with an energy of 100 keV to a dose of 3 x 10^13 cm^-2 are studied. The software package TRIM_2008 was applied to simulate the ion implantation process. The surface morphology of heterostructures and their op...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Smirnov, A. B., Lytvyn, O. S., Morozhenko, V. A., Savkina, R. K., Smoliy, M. I., Udovytska, R. S., Sizov, F. F.
Формат: Стаття
Мова:English
Ukrainian
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018364
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2018364
record_format ojs
spelling ujp2-article-20183642019-03-09T08:12:12Z Role of Mechanical Stresses at Ion Implantation of CdHgTe Solid Solutions Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe Smirnov, A. B. Lytvyn, O. S. Morozhenko, V. A. Savkina, R. K. Smoliy, M. I. Udovytska, R. S. Sizov, F. F. iонна iмплантацiя наноструктуювання напiвпровiдникова структура ion implantation nano-structurization semiconductor structure The properties of n-CdxHg1 xTe/CdZnTe (x = 0.223) structures implanted with B+ and Ag+ ions with an energy of 100 keV to a dose of 3 x 10^13 cm^-2 are studied. The software package TRIM_2008 was applied to simulate the ion implantation process. The surface morphology of heterostructures and their optical, mechanical and electrical properties are studied. It is found that the ion irradiation of specimens gives rise to the formation of a characteristic relief on their surface, as well as a layer in the near-surface region, where the optical parameters differ from those in the matrix. The implantation of CdxHg1 xTe epitaxial layers with boron and silver ions with the same energy and to the same dose brings about the formation of a damaged layer, substantially non-uniform by the thickness and the damage character, with maximum mechanical stresses that differ by two orders of magnitude. The values of the crystal lattice contraction coefficient b and the mechanical stresses omax in the region of radiation-induced disordering in the solid solution are determined. The influence of mechanical stresses in the doped layer on the defect redistribution and the formation of properties of Cd0:223Hg0:777Te after the implantation is discussed. Представлено результати систематичних дослiджень структурних, оптичних та електричних властивостей напiвпровiдникових гетероструктур n-CdxHg1 xTe/CdZnTe (x = 0,223) до та пiсля опромiнення iонами B+ та Ag+ (100 кeВ, доза iмплантацiї Q = 3 x 10^13 cm^-2). Здiйснено математичне моделювання процесу iонної iмплантацiї iз застосуванням програмного пакета TRIM_2008. Встановлено, що в результатi опромiнення на поверхнi дослiджуваних зразкiв вiдбувається утворення характерного рельєфу, а в приповерхневiй областi – шару з вiдмiнними вiд матрицi оптичними характеристиками. В результатi iмплантацiї епiтаксiйних шарiв CdxHg1 xTe iонами бору та срiбла з однаковою енергiєю та дозою утворюється суттєво вiдмiнний за характером пошкодження та товщиною порушений шар з максимальними механiчними напруженнями, що вiдрiзняються на два порядки величини. Отримано значення коефiцiєнта стискання кристалiчної ґратки та механiчних напружень макс в областi радiацiйного розупорядкування твердого розчину. Обговорюється роль механiчних напружень легованого шару у перерозподiлi дефектiв i формуваннi постiмплантацiйних властивостей Cd0;223Hg0;777Te. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-11 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018364 10.15407/ujpe58.09.0872 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 9 (2013); 872 Український фізичний журнал; Том 58 № 9 (2013); 872 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.09 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018364/337 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018364/338 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language English
Ukrainian
topic iонна iмплантацiя
наноструктуювання
напiвпровiдникова структура
ion implantation
nano-structurization
semiconductor structure
spellingShingle iонна iмплантацiя
наноструктуювання
напiвпровiдникова структура
ion implantation
nano-structurization
semiconductor structure
Smirnov, A. B.
Lytvyn, O. S.
Morozhenko, V. A.
Savkina, R. K.
Smoliy, M. I.
Udovytska, R. S.
Sizov, F. F.
Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
topic_facet iонна iмплантацiя
наноструктуювання
напiвпровiдникова структура
ion implantation
nano-structurization
semiconductor structure
format Article
author Smirnov, A. B.
Lytvyn, O. S.
Morozhenko, V. A.
Savkina, R. K.
Smoliy, M. I.
Udovytska, R. S.
Sizov, F. F.
author_facet Smirnov, A. B.
Lytvyn, O. S.
Morozhenko, V. A.
Savkina, R. K.
Smoliy, M. I.
Udovytska, R. S.
Sizov, F. F.
author_sort Smirnov, A. B.
title Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
title_short Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
title_full Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
title_fullStr Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
title_full_unstemmed Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
title_sort роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв cdhgte
title_alt Role of Mechanical Stresses at Ion Implantation of CdHgTe Solid Solutions
description The properties of n-CdxHg1 xTe/CdZnTe (x = 0.223) structures implanted with B+ and Ag+ ions with an energy of 100 keV to a dose of 3 x 10^13 cm^-2 are studied. The software package TRIM_2008 was applied to simulate the ion implantation process. The surface morphology of heterostructures and their optical, mechanical and electrical properties are studied. It is found that the ion irradiation of specimens gives rise to the formation of a characteristic relief on their surface, as well as a layer in the near-surface region, where the optical parameters differ from those in the matrix. The implantation of CdxHg1 xTe epitaxial layers with boron and silver ions with the same energy and to the same dose brings about the formation of a damaged layer, substantially non-uniform by the thickness and the damage character, with maximum mechanical stresses that differ by two orders of magnitude. The values of the crystal lattice contraction coefficient b and the mechanical stresses omax in the region of radiation-induced disordering in the solid solution are determined. The influence of mechanical stresses in the doped layer on the defect redistribution and the formation of properties of Cd0:223Hg0:777Te after the implantation is discussed.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2018
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018364
work_keys_str_mv AT smirnovab roleofmechanicalstressesationimplantationofcdhgtesolidsolutions
AT lytvynos roleofmechanicalstressesationimplantationofcdhgtesolidsolutions
AT morozhenkova roleofmechanicalstressesationimplantationofcdhgtesolidsolutions
AT savkinark roleofmechanicalstressesationimplantationofcdhgtesolidsolutions
AT smoliymi roleofmechanicalstressesationimplantationofcdhgtesolidsolutions
AT udovytskars roleofmechanicalstressesationimplantationofcdhgtesolidsolutions
AT sizovff roleofmechanicalstressesationimplantationofcdhgtesolidsolutions
AT smirnovab rolʹmehaničnihnapruženʹpriionnijímplantaciítverdihrozčinivcdhgte
AT lytvynos rolʹmehaničnihnapruženʹpriionnijímplantaciítverdihrozčinivcdhgte
AT morozhenkova rolʹmehaničnihnapruženʹpriionnijímplantaciítverdihrozčinivcdhgte
AT savkinark rolʹmehaničnihnapruženʹpriionnijímplantaciítverdihrozčinivcdhgte
AT smoliymi rolʹmehaničnihnapruženʹpriionnijímplantaciítverdihrozčinivcdhgte
AT udovytskars rolʹmehaničnihnapruženʹpriionnijímplantaciítverdihrozčinivcdhgte
AT sizovff rolʹmehaničnihnapruženʹpriionnijímplantaciítverdihrozčinivcdhgte
first_indexed 2023-03-24T08:55:30Z
last_indexed 2023-03-24T08:55:30Z
_version_ 1795757613343834112