Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния

Some parameters of thin films fabricated of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys a-Si1 xCx:H with x = 0 and 0.5 and nanocrystalline silicon (nc-Si) and serving as a basis for developing solar cells including a Schottky barrier and p–i–n and double p–i–n heterojunctions have been considered....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Najafov, B. A., Dadashova, V. V.
Формат:	Стаття
Мова:	English Ukrainian
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:	пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2018375
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20183752019-03-10T09:04:53Z Optoelectronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon–Carbon and Nanocrystalline-Silicon Thin Films Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния Najafov, B. A. Dadashova, V. V. пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента films of a hydrogenated amorphous silicon–carbon alloy films of nanocrystalline silicon plasma-chemical technique crystallites efficiency of solar cells Some parameters of thin films fabricated of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys a-Si1 xCx:H with x = 0 and 0.5 and nanocrystalline silicon (nc-Si) and serving as a basis for developing solar cells including a Schottky barrier and p–i–n and double p–i–n heterojunctions have been considered. In double p–i–n heterojunctions, a-SiC/a-Si/nc-Si, the p-layer was made from a-SiC:H and used as a “window”, and the n-layer was made from nc-Si. The current-voltage characteristics of solar cells of each type at their illumination are studied. The highest efficiency of 11.5% was found for solar cells with the double p–i–n heterojunctions in the case where a cell 1 cm2 in area was illuminated with light of a 100-mW/cm2 intensity. В работе рассмотрены некоторые параметры тонких пленок гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода (a-Si1 xСx:Н) (x = 0; 0,5) и нанокристаллического кремния (нк-Si). На основе этих пленок разработаны солнечные элементы с барьерами Шоттки, n–i–p- и двойным n–i–p-гетеропереходом. Элементы двойных гетеропереходов a-SiС/a-Si/нк-Si, в которых p-слой изготавливался из a-SiС:Н и использовался в качестве “окна”, и n-слой изготавливался из нк-Si. Исследованы вольт-амперные характеристики при освещении для каждого типа солнечных элементов. Установлено, что наибольшее значение коэффициента полезного действия солнечных элементов с двойным n–i–p-гетеропереходом в случае освещения с интенсивностью 100 мВт/см2 площади элементов 1 см2 составляет 11,5%. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-11 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375 10.15407/ujpe58.10.0968 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 10 (2013); 968 Український фізичний журнал; Том 58 № 10 (2013); 968 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375/352 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375/353 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date	2019-03-10T09:04:53Z
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента
spellingShingle	пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента Najafov, B. A. Dadashova, V. V. Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
topic_facet	пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента films of a hydrogenated amorphous silicon–carbon alloy films of nanocrystalline silicon plasma-chemical technique crystallites efficiency of solar cells
format	Article
author	Najafov, B. A. Dadashova, V. V.
author_facet	Najafov, B. A. Dadashova, V. V.
author_sort	Najafov, B. A.
title	Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
title_short	Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
title_full	Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
title_fullStr	Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
title_full_unstemmed	Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
title_sort	оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
title_alt	Optoelectronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon–Carbon and Nanocrystalline-Silicon Thin Films
description	Some parameters of thin films fabricated of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys a-Si1 xCx:H with x = 0 and 0.5 and nanocrystalline silicon (nc-Si) and serving as a basis for developing solar cells including a Schottky barrier and p–i–n and double p–i–n heterojunctions have been considered. In double p–i–n heterojunctions, a-SiC/a-Si/nc-Si, the p-layer was made from a-SiC:H and used as a “window”, and the n-layer was made from nc-Si. The current-voltage characteristics of solar cells of each type at their illumination are studied. The highest efficiency of 11.5% was found for solar cells with the double p–i–n heterojunctions in the case where a cell 1 cm2 in area was illuminated with light of a 100-mW/cm2 intensity.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2018
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375
work_keys_str_mv	AT najafovba optoelectronicpropertiesofhydrogenatedamorphoussiliconcarbonandnanocrystallinesiliconthinfilms AT dadashovavv optoelectronicpropertiesofhydrogenatedamorphoussiliconcarbonandnanocrystallinesiliconthinfilms AT najafovba optoélektronnyesvojstvatonkihplenokgidrogenizirovannogoamorfnogokremniâuglerodainanokristalličeskogokremniâ AT dadashovavv optoélektronnyesvojstvatonkihplenokgidrogenizirovannogoamorfnogokremniâuglerodainanokristalličeskogokremniâ
first_indexed	2025-10-02T01:14:32Z
last_indexed	2025-10-02T01:14:32Z
_version_	1851765077880864769

Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния

Репозитарії

Схожі ресурси