Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
Some parameters of thin films fabricated of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys a-Si1 xCx:H with x = 0 and 0.5 and nanocrystalline silicon (nc-Si) and serving as a basis for developing solar cells including a Schottky barrier and p–i–n and double p–i–n heterojunctions have been considered....
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018375 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20183752019-03-10T09:04:53Z Optoelectronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon–Carbon and Nanocrystalline-Silicon Thin Films Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния Najafov, B. A. Dadashova, V. V. пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента films of a hydrogenated amorphous silicon–carbon alloy films of nanocrystalline silicon plasma-chemical technique crystallites efficiency of solar cells Some parameters of thin films fabricated of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys a-Si1 xCx:H with x = 0 and 0.5 and nanocrystalline silicon (nc-Si) and serving as a basis for developing solar cells including a Schottky barrier and p–i–n and double p–i–n heterojunctions have been considered. In double p–i–n heterojunctions, a-SiC/a-Si/nc-Si, the p-layer was made from a-SiC:H and used as a “window”, and the n-layer was made from nc-Si. The current-voltage characteristics of solar cells of each type at their illumination are studied. The highest efficiency of 11.5% was found for solar cells with the double p–i–n heterojunctions in the case where a cell 1 cm2 in area was illuminated with light of a 100-mW/cm2 intensity. В работе рассмотрены некоторые параметры тонких пленок гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода (a-Si1 xСx:Н) (x = 0; 0,5) и нанокристаллического кремния (нк-Si). На основе этих пленок разработаны солнечные элементы с барьерами Шоттки, n–i–p- и двойным n–i–p-гетеропереходом. Элементы двойных гетеропереходов a-SiС/a-Si/нк-Si, в которых p-слой изготавливался из a-SiС:Н и использовался в качестве “окна”, и n-слой изготавливался из нк-Si. Исследованы вольт-амперные характеристики при освещении для каждого типа солнечных элементов. Установлено, что наибольшее значение коэффициента полезного действия солнечных элементов с двойным n–i–p-гетеропереходом в случае освещения с интенсивностью 100 мВт/см2 площади элементов 1 см2 составляет 11,5%. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-11 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375 10.15407/ujpe58.10.0968 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 10 (2013); 968 Український фізичний журнал; Том 58 № 10 (2013); 968 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.10 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375/352 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375/353 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента films of a hydrogenated amorphous silicon–carbon alloy films of nanocrystalline silicon plasma-chemical technique crystallites efficiency of solar cells |
| spellingShingle |
пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента films of a hydrogenated amorphous silicon–carbon alloy films of nanocrystalline silicon plasma-chemical technique crystallites efficiency of solar cells Najafov, B. A. Dadashova, V. V. Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния |
| topic_facet |
пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода пленки нанокристаллического кремния плазмохимический метод кристаллит к.п.д. солнечного элемента films of a hydrogenated amorphous silicon–carbon alloy films of nanocrystalline silicon plasma-chemical technique crystallites efficiency of solar cells |
| format |
Article |
| author |
Najafov, B. A. Dadashova, V. V. |
| author_facet |
Najafov, B. A. Dadashova, V. V. |
| author_sort |
Najafov, B. A. |
| title |
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния |
| title_short |
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния |
| title_full |
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния |
| title_fullStr |
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния |
| title_full_unstemmed |
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния |
| title_sort |
оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния |
| title_alt |
Optoelectronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon–Carbon and Nanocrystalline-Silicon Thin Films |
| description |
Some parameters of thin films fabricated of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys a-Si1 xCx:H with x = 0 and 0.5 and nanocrystalline silicon (nc-Si) and serving as a basis for developing solar cells including a Schottky barrier and p–i–n and double p–i–n heterojunctions have been considered. In double p–i–n heterojunctions, a-SiC/a-Si/nc-Si, the p-layer was made from a-SiC:H and used as a “window”, and the n-layer was made from nc-Si. The current-voltage characteristics of solar cells of each type at their illumination are studied. The highest efficiency of 11.5% was found for solar cells with the double p–i–n heterojunctions in the case where a cell 1 cm2 in area was illuminated with light of a 100-mW/cm2 intensity. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018375 |
| work_keys_str_mv |
AT najafovba optoelectronicpropertiesofhydrogenatedamorphoussiliconcarbonandnanocrystallinesiliconthinfilms AT dadashovavv optoelectronicpropertiesofhydrogenatedamorphoussiliconcarbonandnanocrystallinesiliconthinfilms AT najafovba optoélektronnyesvojstvatonkihplenokgidrogenizirovannogoamorfnogokremniâuglerodainanokristalličeskogokremniâ AT dadashovavv optoélektronnyesvojstvatonkihplenokgidrogenizirovannogoamorfnogokremniâuglerodainanokristalličeskogokremniâ |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:33Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:33Z |
| _version_ |
1795757614521384960 |