Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом

The behavior of a hydrogen impurity in the course of crystallization of thin silicon ﬁlms doped with tin (a-SiSn ﬁlms) has been studied. It is found that the band located at about 2000–2200 cm^−1 and corresponding to the IR absorption at silicon–hydrogen bonds is absent from the spectra of as-deposi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Rudenko, R. M., Kras’ko, M. M., Voitovych, V. V., Kolosyuk, A. G., Povarchuk, V. Yu., Kraichynskyi, A. M., Yukhymchuck, V. O., Bratus’, V. Ya., Voitovych, M. V., Zaloilo, I. A.
Формат:	Стаття
Мова:	English Ukrainian
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:	тонкоплiвковий кремнiй кристалiзацiя легування оловом водень
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018399
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2018399
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20183992019-03-11T08:44:56Z Behavior of Hydrogen During Crystallization of Thin Silicon Films Doped with Tin Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом Rudenko, R. M. Kras’ko, M. M. Voitovych, V. V. Kolosyuk, A. G. Povarchuk, V. Yu. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuck, V. O. Bratus’, V. Ya. Voitovych, M. V. Zaloilo, I. A. thin silicon ﬁlms crystallization tin doping hydrogen тонкоплiвковий кремнiй кристалiзацiя легування оловом водень The behavior of a hydrogen impurity in the course of crystallization of thin silicon ﬁlms doped with tin (a-SiSn ﬁlms) has been studied. It is found that the band located at about 2000–2200 cm^−1 and corresponding to the IR absorption at silicon–hydrogen bonds is absent from the spectra of as-deposited (at a temperature of 300 ◦C) a-SiSn ﬁlms with Sn contents within the interval of 1–10 at.%. In undoped thin silicon ﬁlms (a-Si ﬁlms), the hydrogen content diminishes below the sensitivity threshold of the measurement technique only after the annealing of the specimens at 700 ◦C. The absence of hydrogen in a-SiSn ﬁlms is in good agreement with the results of EPR studies and the results of Raman scattering studies of structural transformations in thermally treated ﬁlms. It is shown that the formation of crystalline phases in a-SiSn occurs at lower temperatures as compared to those in a-Si, with a correlation taking place between the crystallization temperature for Si clusters and the concentration of the tin impurity. Taking into account that tin reduces the temperature of the hydrogen eﬀusion from the ﬁlm volume and, accordingly, stimulates the ordering in the specimen structure, it is possible to consider that hydrogen impurity takes part in the processes that result in a decrease of the crystallization temperature for a-SiSn. Дослiджено поведiнку домiшки водню пiд час кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом (a-SiSn). Встановлено, що у плiвках a-SiSn (вмiст Sn ∼ 1–10 ат.%) безпосередньо пiсля осадження (300 ◦С) вiдсутня смуга IЧ поглинання на кремнiй-водневих зв’язках (область ∼2000–2200 см^−1). У нелегованому a-Si вмiст водню стає меншим межi чутливостi даної методики дослiдження лише пiсля вiдпалу при 700 ◦С. Факт вiдсутностi водню у a-SiSn добре узгоджується з ЕПР дослiдженнями та структурними перетвореннями плiвок при термообробках, якi дослiджувалися методом комбiнацiйного розсiяння свiтла. Показано, що формування кристалiчної фази у a-SiSn вiдбувається при нижчих температурах порiвняно з a-Si. При цьому спостерiгається кореляцiя мiж температурою кристалiзацiї Si кластерiв та концентрацiєю домiшки олова. Враховуючи те, що олово зменшує температуру ефузiї водню з об’єму плiвок i, вiдповiдно, стимулює впорядкування структури зразкiв, можна припустити, що домiшка водню бере участь в процесах, що ведуть до зниження температури кристалiзацiї a-SiSn. Publishing house "Academperiodika" 2018-10-11 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018399 10.15407/ujpe58.12.1165 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 12 (2013); 1165 Український фізичний журнал; Том 58 № 12 (2013); 1165 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe58.12 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018399/388 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018399/389 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date	2019-03-11T08:44:56Z
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	тонкоплiвковий кремнiй кристалiзацiя легування оловом водень
spellingShingle	тонкоплiвковий кремнiй кристалiзацiя легування оловом водень Rudenko, R. M. Kras’ko, M. M. Voitovych, V. V. Kolosyuk, A. G. Povarchuk, V. Yu. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuck, V. O. Bratus’, V. Ya. Voitovych, M. V. Zaloilo, I. A. Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
topic_facet	thin silicon ﬁlms crystallization tin doping hydrogen тонкоплiвковий кремнiй кристалiзацiя легування оловом водень
format	Article
author	Rudenko, R. M. Kras’ko, M. M. Voitovych, V. V. Kolosyuk, A. G. Povarchuk, V. Yu. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuck, V. O. Bratus’, V. Ya. Voitovych, M. V. Zaloilo, I. A.
author_facet	Rudenko, R. M. Kras’ko, M. M. Voitovych, V. V. Kolosyuk, A. G. Povarchuk, V. Yu. Kraichynskyi, A. M. Yukhymchuck, V. O. Bratus’, V. Ya. Voitovych, M. V. Zaloilo, I. A.
author_sort	Rudenko, R. M.
title	Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
title_short	Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
title_full	Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
title_fullStr	Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
title_full_unstemmed	Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
title_sort	поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
title_alt	Behavior of Hydrogen During Crystallization of Thin Silicon Films Doped with Tin
description	The behavior of a hydrogen impurity in the course of crystallization of thin silicon ﬁlms doped with tin (a-SiSn ﬁlms) has been studied. It is found that the band located at about 2000–2200 cm^−1 and corresponding to the IR absorption at silicon–hydrogen bonds is absent from the spectra of as-deposited (at a temperature of 300 ◦C) a-SiSn ﬁlms with Sn contents within the interval of 1–10 at.%. In undoped thin silicon ﬁlms (a-Si ﬁlms), the hydrogen content diminishes below the sensitivity threshold of the measurement technique only after the annealing of the specimens at 700 ◦C. The absence of hydrogen in a-SiSn ﬁlms is in good agreement with the results of EPR studies and the results of Raman scattering studies of structural transformations in thermally treated ﬁlms. It is shown that the formation of crystalline phases in a-SiSn occurs at lower temperatures as compared to those in a-Si, with a correlation taking place between the crystallization temperature for Si clusters and the concentration of the tin impurity. Taking into account that tin reduces the temperature of the hydrogen eﬀusion from the ﬁlm volume and, accordingly, stimulates the ordering in the specimen structure, it is possible to consider that hydrogen impurity takes part in the processes that result in a decrease of the crystallization temperature for a-SiSn.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2018
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018399
work_keys_str_mv	AT rudenkorm behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT kraskomm behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT voitovychvv behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT kolosyukag behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT povarchukvyu behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT kraichynskyiam behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT yukhymchuckvo behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT bratusvya behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT voitovychmv behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT zaloiloia behaviorofhydrogenduringcrystallizationofthinsiliconfilmsdopedwithtin AT rudenkorm povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT kraskomm povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT voitovychvv povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT kolosyukag povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT povarchukvyu povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT kraichynskyiam povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT yukhymchuckvo povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT bratusvya povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT voitovychmv povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom AT zaloiloia povedinkavodnûprikristalizaciítonkihplivokkremniûlegovaniholovom
first_indexed	2025-10-02T01:14:37Z
last_indexed	2025-10-02T01:14:37Z
_version_	1851765084200632321

Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом

Репозитарії

Схожі ресурси