Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
Elastic stresses arising at the clean GexSi1−x/Si(001) surface, as well as at the initial stages of its oxidation, are considered qualitatively by analyzing the changes of unit cell dimensions occurring owing to the ad-dimer formation or the atomic or molecular adsorption on the unit cell surfaces....
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018423 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2018423 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20184232019-03-29T08:38:04Z Surface Stresses at the Initial Steps of the GexSi1−x/Si(001) Surface Oxidation Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) Grynchuk, A. A. Koval, I. P. Nakhodkin, M. G. stress stress anisotropy oxidation напруження анiзотропiя напружень окислення Elastic stresses arising at the clean GexSi1−x/Si(001) surface, as well as at the initial stages of its oxidation, are considered qualitatively by analyzing the changes of unit cell dimensions occurring owing to the ad-dimer formation or the atomic or molecular adsorption on the unit cell surfaces. The stress character is found to be almost identical for the clean GexSi1−x/Si(001) surface and the GexSi1−x/Si(001) surface with adsorbed oxygen molecules or one to three adsorbed oxygen atoms. In addition, the surface stresses revealed a significant anisotropy: they turned out compressive along the dimer rows and three times as large as tensile stresses in the perpendicular direction (along the interdimer bonds). За допомогою аналiзу змiн розмiрiв елементарних комiрок, яке вiдбувається внаслiдок утворення на їх поверхнях димерiв або адсорбцiї атомiв i молекул, якiсно розглянуто пружнi напруження чистої поверхнi GexSi1−x/Si(001) та на початкових етапах її окислення. Вони мають майже однаковий характер, як для чистої поверхнi GexSi1−x/Si(001), так i пiсля адсорбцiї на нeї молекул O2 або 1-го, 2-х та 3-х атомiв O. Напруження виявились анiзотропними: вздовж димерних рядiв вони були стискаючими та приблизно у 3 рази бiльшими вiд розтягуючих напружень у напрямку, перпендикулярному до димерних рядiв (вздовж димерного зв’язку). Publishing house "Academperiodika" 2018-10-18 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018423 10.15407/ujpe59.02.0148 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 2 (2014); 148 Український фізичний журнал; Том 59 № 2 (2014); 148 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe59.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018423/424 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018423/425 Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
stress stress anisotropy oxidation напруження анiзотропiя напружень окислення |
| spellingShingle |
stress stress anisotropy oxidation напруження анiзотропiя напружень окислення Grynchuk, A. A. Koval, I. P. Nakhodkin, M. G. Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) |
| topic_facet |
stress stress anisotropy oxidation напруження анiзотропiя напружень окислення |
| format |
Article |
| author |
Grynchuk, A. A. Koval, I. P. Nakhodkin, M. G. |
| author_facet |
Grynchuk, A. A. Koval, I. P. Nakhodkin, M. G. |
| author_sort |
Grynchuk, A. A. |
| title |
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) |
| title_short |
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) |
| title_full |
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) |
| title_fullStr |
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) |
| title_full_unstemmed |
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) |
| title_sort |
поверхневi напруження на початкових етапах окислення gexsi1−x/si(001) |
| title_alt |
Surface Stresses at the Initial Steps of the GexSi1−x/Si(001) Surface Oxidation |
| description |
Elastic stresses arising at the clean GexSi1−x/Si(001) surface, as well as at the initial stages of its oxidation, are considered qualitatively by analyzing the changes of unit cell dimensions occurring owing to the ad-dimer formation or the atomic or molecular adsorption on the unit cell surfaces. The stress character is found to be almost identical for the clean GexSi1−x/Si(001) surface and the GexSi1−x/Si(001) surface with adsorbed oxygen molecules or one to three adsorbed oxygen atoms. In addition, the surface stresses revealed a significant anisotropy: they turned out compressive along the dimer rows and three times as large as tensile stresses in the perpendicular direction (along the interdimer bonds). |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018423 |
| work_keys_str_mv |
AT grynchukaa surfacestressesattheinitialstepsofthegexsi1xsi001surfaceoxidation AT kovalip surfacestressesattheinitialstepsofthegexsi1xsi001surfaceoxidation AT nakhodkinmg surfacestressesattheinitialstepsofthegexsi1xsi001surfaceoxidation AT grynchukaa poverhnevinapružennânapočatkovihetapahokislennâgexsi1xsi001 AT kovalip poverhnevinapružennânapočatkovihetapahokislennâgexsi1xsi001 AT nakhodkinmg poverhnevinapružennânapočatkovihetapahokislennâgexsi1xsi001 |
| first_indexed |
2023-03-24T08:55:43Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:55:43Z |
| _version_ |
1795757619668844544 |